互补晶体管
共 29 篇文章
互补晶体管 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 29 篇文章，持续更新中。
晶体管电路设计(上)
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CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程
CMOS闩锁效应
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; tab-stops: 12.0pt">闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路<p></p></P>
针对高速应用的电流回授运算放大器
讯号路径设计讲座(9)针对高速应用的电流回授运算放大器<BR>电流回授运算放大器架构已成为各类应用的主要解决方案。该放大器架构具有很多优势，并且几乎可实施于任何需要运算放大器的应用当中。<BR>电流回授放大器没有基本的增益频宽产品的局限，随着讯号振幅的增加，而频宽损耗依然很小就证明了这一点。由于大讯号具有极小的失真，所以在很高的频率情况下这些放大器都具有极佳的线性度。电流回授放大器在很宽的增益范围
解析逻辑函数式的处理
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对数字电路设计中的重要环节--逻辑函数式的处理进行了解析。分逻辑函数式的化简、检查、变换3个方面作了详细探讨，且对每个方面给出了相应的见解，即对逻辑函数式的化简方面提出宜采用先卡诺图法再代数法的综合法；对逻辑函数式的检查方面指出了观察互补出现的因子并检验在特殊条件下是否存在该因子的“互补相与”和“互补相或”的核心要点；对逻辑函数式的变换
小信号高频晶体管放大器
小信号高频晶体管放大器
晶体管电路设计上
晶体管电路设计
晶体管性能讲解
晶体管的结构及性能