三电阻

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三电阻 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 123 篇文章,持续更新中。

CMOS和TTL电路探讨

<p> 通常以为TTL门的速度高于&ldquo;CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大,作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有&ldquo;传输延时&rdquo;tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称&ldquo;速度-功耗积&rdquo;,做为器件性能的一个重要指

广州国保科技有限公司第三代保密机简介

广州国保科技有限公司第三代保密机简介移动通信是由许多服务区组成的,而每个服务区又由若干个基站划分成若干小区,位于服务区内任意位置的手机通过不断接收来自基站的广播信号,同时向基站发送应答信号来保持入网状态.

PID温度控制的PLC程序设计

<p> PID由于用途广泛、使用灵活,已有系列化产品,使用中只需设定三个参数(Kp, Ti和Td)即可。在很多情况下,并不一定需要全部三个单元,可以取其中的一到两个单元,但比例控制单元是必不可少的。</p> <p> &nbsp;</p>

三菱plc工程实例(新手学习附带程序)

三菱plc工程实例(新手学习附带程序)。

磁珠的原理及应用

<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求,电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂,单单依靠理论知识是完全不够的,它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题,还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋

第2章 基本放大电路

§2.1 概述 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 静态工作点的稳定 §2.5 三种基本接法 §2.6 派生电路 §2.7 场效应管放大电路

ADI处理器实用丛书-高速设计技术

<p> 本书内容包括三大部分:第1 部分从运算放大器的基本概念和理论出发,重点介绍了运算放大器的原理与设计,以及在各种电子系统中的应用,包括视频应用、RF/IF 子系统(乘法器、调制器和混频器)等;第2 部分主要介绍了高速采样和高速ADC 及其应用、高速DAC 及其应用、以及DDS 系统与接收机子系统等;第3 部分介绍了有关高速硬件设计技术,如仿真、建模、原型、布局、去藕与接地,以及EMI 与R

基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计

<span id="LbZY">低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一,文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益,该电路采用三级级联放大结构形式,并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终得到LNA在该频段内增益大于32.8 dB,噪声小于1.5

LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计

摘要:对LDO线性稳压器关键技术进行了分析,重点分析了LDO稳压器的稳定性问题,在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路,利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络,通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态,即改变开关电阻、寄生电容的值,从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比,该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br /> 关键词:LDo;稳定性;ESR;动态频率补偿

高等模拟集成电路

近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点,因而大多数复杂系统以数

任意波发生器的研究与设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">在任意波形发生器设计中,DDS技术具有成本低、功耗小、分辨率高和切换时间快等优点,但波形形状任意可编辑性较差;软件无线电技术可产生任意复杂波形,但切换时

电容器专题讲座

电容器专题讲座(一,常用电容器分类)(二,电容器的电气特性)(三,陶瓷电容器)(四,铝电解电容器)(五,固体钽电容器)

整流滤波电容的设计与选用方法研究

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路,其中滤波电容的设计选取,直接影响到纹波电压的大小,关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下,依据整流滤波

CoolMos的原理、结构及制造

对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。<br /> 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区

一种带振幅调节的晶体振荡器

<span id="LbZY">设计了一种带振幅控制的晶体振荡器,用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 &mu;m、5 V CMOS工艺上实现,仿真和测试结果都能满足设计要求。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-

第08讲 晶体管放大电路的三种接法

模电

世界最新晶体管代换手册

<P>世界最新晶体管代换手册</P> <P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P> <P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶

电路分析基础pdf

<P>电路分析基础电路分析基础Fundamentals of Electric CircuitsFundamentals of Electric Circuits多媒体教学课件多媒体教学课件北京理工大学北京理工大学Beijing Institute of TechnologyBeijing Institute of Technology</P> <P>目录<BR>&#8226;第一章集总电路中电压

无功功率自动补偿控制器

1) 全数字化设计,交流采样,人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示,数字输入。 4) 电容器控制方案支持

I2C上拉电阻取值问题

I2C 的上拉电阻可以是1.5K,2.2K,4.7K, 电阻的大小对时序有一定影响,对信号的上升时间和下降时间也有影响,一般接1.5K 或2.2K.<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12032115060B50.jpg" />