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用NOS做一个开关电路，通过单片机普通i/o高低电平控制三极管通断，三极管的输出再决定MOS管通断，从而达到低控高的目的。和以往用继电器相比，MOS管反应速度更快，而且没有任何噪音。
2022-09-03 19:10:02
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以N型管为例，2端为控制端，称为“栅极”；3端通常接地，称为“源极”；源极电压记作Vss，1端接正电压，称为“漏极”，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。
对P型管，栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端。要使4端与6端导通，栅极5要加低电平。
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2022-09-09 13:30:02
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2022-09-29 13:10:02
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电源接口设计中关于上电冲击电流的防护电路设计，采用新的设计思路设计的防冲击电路
2022-11-18 19:30:02
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MOS管参数详解及驱动电阻选择，设计师电阻选择手册。
2023-01-31 14:20:02
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屏幕保护程序是什么，相信大家都用过，但对于它的结构也许就不那么熟悉了。
2015-09-09 20:15:01
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实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用
2013-06-13 03:30:01
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实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用
2013-06-08 17:30:01
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·实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用 466页
2013-07-27 23:30:01
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MOS设计应用指南
2014-12-24 09:00:01
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大功率输出的mos控制电路，小空间内实现大功率控制，电压为24伏，使用DXP2004打开
2013-12-30 08:28:10
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高速MOS驱动电路设计和应用指南整篇文章开始于对MOSFET技术和开关工作的概述，随后进行简单的讨论然后再到复杂问题的分析。
2017-06-12 10:19:49
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2021-10-20 19:00:01
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MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时
2022-03-20 21:00:02
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文件是基于Multisim的MOS管H桥驱动仿真，电路原理图由LM317恒流源电路、两个IR2011PBF半桥驱动电路、MOS管组成的全桥电路，可用于设计恒流电路和H桥驱动电路。
2022-07-19 11:40:02
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ST MOS管选型表
内含产品型号规格目录、PN构成表、封装清单和ST公司联系购买二维码
2022-07-28 05:30:02
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本篇论文的主要目的是来论证一种为高速开关应用而设计高性能栅极驱动电路的系统研究方法。它是对“一站买齐”主题信息的收集，用来解决设计中最常见的挑战。因此，各级的电力电子工程师对它都应该感兴趣。
2022-11-12 09:20:02
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MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2022-12-24 08:40:02
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用 TI TL494 集成控制芯片制作的MOS D类功放电路，含有原理图及PCB图
2023-01-04 10:40:02
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一种MOS管防反接电路，电路简单，外围器件少，效果不错
2023-03-14 00:30:03
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