4_10kV三相干式非晶合金变压器专用技术规范
上传时间： 2013-11-19
上传用户：JamesB
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：wanqunsheng
非晶材料所用资料，为日本科学家这几年的研究成果。
上传时间： 2016-02-07
上传用户：我们的船长
描述了铁基非晶磁性材料的特性与应用 提出了新型导磁材料替代传统硅钢片的优势
上传时间： 2016-09-01
上传用户：苍山观海
本文针对电力变压器的电磁设计过程、优化方法、优化系统的体系结构，以及优化设计系统开发中采用的技术和处理方法展开了深入的讨论和研究，开发了一套干式变压器电磁计算优化设计系统。论文工作主要包括以下几方面的内容： (1)综述了电力变压器的结构特征和传统电磁设计的流程，分析了变压器电磁设计中的设计流程、设计目标、方案组合等重点问题，研究了变压器的评价准则的选择和计算。同时对变压器电磁设计计算的细节做了深入分析，理清了变压器设计中各个步骤、各个部件之间的相互关系，成功地将变压器计算中的一些核心的计算过程程序化。 (2)深入研究和分析了目前变压器优化设计的研究和实践中所采用的优化方法，包括比较成熟的循环遍历法和其他还处于研究阶段或还有缺陷的方法，对这些算法的原理、应用情况、优缺点进行了比较和总结。 (3)将ODBC(开放数据库互连)和OLE(对象链接和嵌入)自动化技术引入电力变压器的电磁优化设计系统中，一改以往的设计软件封闭的弊病，具有出色的可扩展性，充分利用了现代操作系统环境的先进功能。以oLE自动化技术为基础的计算单自动生成技术，使变压器设计软件能够在更大程度上协助设计人员的工作，将设计人员从简单劳动中解脱出来，使设计软件能够真正成为全面的变压器优化设计软件。 (4)将各种型式的敞开式和环氧浇注干式变压器电磁计算优化设计整合到同一系统中，方便了用户不同的设计要求，同时根据专家理论设计了众多人工干预设计的环节，令本软件更具有系统性、实用性、开放性和个性。 (5)对当前热门的非晶合金变压器进行了简要介绍，并指出非晶合金变压器的优缺点，分析了其即将全面使用的趋势。同时对非晶合金干式变压器的优化设计进行了研究和探讨，给下一步的工作指明了方向。
上传时间： 2013-05-27
上传用户：王庆才
产品说明 PaxScan3030 是通常被称为平板探测器（FPD）的实时数字 X 射线成像设备。主要系统部件包括 30x30cm、194μm 像素的非晶硅FPD,全球通用的双输出电源。通过采用 Va r i an 公司独有的高灵敏度碘化铯闪烁体，具有优秀的电子吸收能力使其在低剂量范围仍有优秀的表现力。基于 windows2000 的应用程序和通信命令库（DLL）可以帮助 OEM 客户尝试开发自身系统接口。该探测器为 X射线系统制造商进行系统整合而设计。
标签： AMORPHOUS PaxScan SILICON 3030
上传时间： 2013-11-24
上传用户：瓦力瓦力hong
绪论第一章 光纤传感器第二章 固态图像传感器第三章 红外传感器第四章 生物传感器第五章 机器人传感器第六章 气体传感器第七章 湿度传感器第八章 非晶态合金传感器第九章 智能式传感器第十章 微波传感器第十一章 其他新型传感器参考文献.全书共分十一章，分别介绍了光纤传感器、固态图像传感器、红外传感器、生物传感器、机器人传感器、气体传感器、湿度传感器、非晶态合金传感器、智能传感器、微波传感器及其他新型传感器的基本原理、基本特性和应用实例。本书取材新颖，内容丰富，反映了当代传感器技术的新发展与新成就。 全书可作为测试计量技术、仪器仪表、自动控制专业研究生教材，也可供有关专业本科生、大专生选用，还可供有关工程技术人员参考。
标签： 传感器原理
上传时间： 2013-11-01
上传用户：gundamwzc
半导体物理学 刘恩科 第六版本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；pn结；金属和半导体的接触；半导体表面及MIS结构；半导体异质结构；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考丛编项：普通高等教育"十一五"国家级规划教材
标签： 半导体物理学
上传时间： 2022-03-19
上传用户：sheng199241
无线电感应的应答器和非接触IC卡的原理与应用
上传时间： 2013-07-06
上传用户：eeworm
上海华晶整流器
上传时间： 2013-05-24
上传用户：eeworm
