The BTS5016SDA is a one channel high-side power switch in PG-TO252-5-11 package providing embedded protective functions. The power transistor is built by a N-channel vertical power MOSFET with charge pump. The design is based on Smart SIPMOS chip on chip technology. The BTS5016SDA has a current controlled input and offers a diagnostic feedback with load current sense and a defined fault signal in case of overload operation, overtemperature shutdown and/or short circuit shutdown.
上传时间： 2019-03-27
上传用户：guaixiaolong
AO4420, AO4420L ( Green Product ) N-Channel Enhancement Mode Field Effect transistor
上传时间： 2020-04-19
上传用户：su1254
This design uses Common-Emitter Amplifier (Class A) with 2N3904 Bipolar Junction transistor. Use “Voltage Divider Biasing” to reduce the effects of varying β (= ic / ib) (by holding the Base voltage constant) Base Voltage (Vb) = Vcc * [R2 / (R1 + R2)] Use Coupling Capacitors to separate the AC signals from the DC biasing voltage (which only pass AC signals and block any DC component). Use Bypass Capacitor to maintain the Q-point stability. To determine the value of each component, first set Q-point close to the center position of the load line. (RL is the resistance of the speaker.)
上传时间： 2020-11-26
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AT89S52单片机主8入8出继电器工控主板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件,2层板设计，大小为121x149mm，Altium Designer 设计的工程文件，包括完整的原理图及PCB文件，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你的产品设计的参考。主要器件型号列表如下：Library Component Count : 25Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24LC02AJKG 按键开关AT89S52-P 8 位微处理器/40引脚CAP CapacitorCAPACITOR POL CapacitorCPDR 瓷片电容CRYSTAL CrystalD Connector 9 Receptacle Assembly, 9 Position, Right AngleDG 电感DJDR 电解电容GO 光耦Header 5X2 Header, 5-Pin, Dual rowJDQYCK 继电器——1常开1常闭LED 发光二极管LM2576HVT-3.3 Simple Switcher 3A Step Down Voltage RegulatorMAX232 NPN NPN Bipolar transistorPZ_2 排针——2PZ_3 排针——3RES2Res 电阻Res PZ_8 8位排阻SW-DPST Double-Pole, Single-Throw SwitchWY2JG 稳压二级管ZL2JG 整流二极管
上传时间： 2021-11-17
上传用户：kingwide
基于DSP设计的数字化大功率电源数字化全桥变换器电源ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件，包括主板和控制板2个硬件，均为4层板设计，ALTIUM设计的硬件工程文件，包括完整的原理图和PCB文件，可以做为你的设计参考。主板原理图器件如下：Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模电感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP transistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工业B/消费C/瓷片电容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引脚间距7.5mmR26020054 R26020054/工业A/消费C/快恢复二极管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工业A/消费B/肖特基二极管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工业B/肖特基二极管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫铜镀锡RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
标签： tms320f28035 dsp 全桥变换器
上传时间： 2021-12-22
上传用户：aben
The PW2202 is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planarTechnology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system
标签： pw2202
上传时间： 2022-02-11
上传用户：默默
本书是 Marc Thompson 博士 20 年模拟电路设计和教学经验的总结，讲述了模拟电路与系统设计中常用的直观分析方法。本书提出了“模拟电路直观方法学”，力图帮助学生和设计人员摆脱复杂的理论推导与计算，充分利用直观知识来应对模拟电路工程设计挑战。全书共分为 16 章，内容涵盖了二极管、晶体管、放大器、滤波器、反馈系统等模拟电路的基本知识与设计方法。本书大纲第 1 章与第 2 章为介绍性材料。第 1 章是本书的引言，同时介绍了模拟电路设计的发展动机，其中引用了一些精选的历史事件。第 2 章讲述后续章节中用到地重要的信号处理概念，以使读者们能够跟上作者的思路。第 3 章至第 8 章讲述双极性器件的物理学原理、双极性结型晶体管 (bipolar junction transistor, BJT) 、晶体管放大器，以及用于带宽估计与开关速度分析的近似技术。第 9 章讲述 CMOS 管和 CMOS 管放大器的基础知识。前面章节介绍的用于放大器设计的带宽估计技术也同样适用于 CMOS 管器件。第 10 章讲述 晶体管的开关效应。晶体管是如何实现导通和关闭呢？又如何估计它的开关速度呢？第 11 章回顾反馈系统 (feedback system) 的基本知识以及设计稳定反馈系统的伯德图 / 相位裕度方法 (Bod plot / phase margin) 。第 12 章和第 13 章讲述实际运算放大器的设计、使用和限制，包括电压反馈 (voltage-feedback) 以及电流反馈 (current-feedback) 放大器。第 14 章讲述模拟低通滤波器设计的基本知识，包括巴特沃思 (Butterworth) 、切比雪夫 (Chebyshev) 、椭圆 (elliptic) 以及贝塞尔 (Bessel) 滤波器的无源梯形实现和胡源实现。第 15 章讲述实际电路设计问题，比如 PCB 版图设计规则、无源器件的使用和限制等。第 16 章是一些有用的设计技术和设计技巧的大杂烩，这些内容又不适合放在其他章节，所以作为独立的章节进行讲述。一些说明性的分析问题以及 MATLAB 和 SPICE 设计示例点缀在全书的字里行间，以帮助读者理解本书的内容。
标签： 模拟电路
上传时间： 2022-02-13
上传用户：zhengtiantong
TFT-LCD(Thin Film transistor Liquid Crystal Display)即薄膜晶体管液晶显示器，是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的的一种技术。CRT显示器的工作原理是通电后灯丝发热，阴极被激发后发射出电子流，电子流受到高电压的金属层的加速，经过透镜聚焦形成极细的电子束打在荧光屏上，使荧光粉发光显示图像。LCD显示器需要来自背后的光源，当光束通过这层液晶时，液晶会呈不规则扭转形状（形状由TFT上的信号与电压改变实现），所以液晶更像是一个个闸门，选择光线穿透与否，这样就可以在屏幕上看到深浅不一，错落有致的图像。目前主流的LCD显示器都是TFT-LCD，是由原有液晶技术发展而来。TFT液晶为每个像素都设有一个半导体开关，以此做到完全的单独控制一个像素点，液晶材料被夹在TFT阵列和彩色滤光片之间，通过改变刺激液晶的电压值就可以控制最后出现的光线强度和色彩，
上传时间： 2022-04-08
上传用户：jimmy950583
三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求，三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发，为人类的节能和环保不断努力。第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅片CSTBTIM技术，并具有正温度系数特征，与传统的沟槽型构造IGBT相比，降低了集电极一发射极间饱和电压，从而实现了更低损耗。同时改进了封装技术，大大减小了模块内部分布电感。本应用手册的出版，旨在帮助用户了解第5代IGBT和IPM模块的特性和工作原理，更加方便的使用三菱电机的半导体产品。三菱电机谨向所有购买和支持三菱半导体产品的用户表示诚挚的感谢。1.IGBT模块的一般认识1.1 NF系列IGBT模块的特点NF系列IGBT模块主要具有以下两大特点：1，采用第5代IGBT硅片在沟槽型IGBT的基础上增加电荷蓄积层的新结构（CSTBT）改善了关断损耗（Eoff）和集电极-发射极问饱和电压VEisat的折衷。插入式组合元胞（PCM）的使用增强了短路承受能力（SCSOA）并降低了栅极电容，从而降低驱动功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar transistor载流子存储式沟槽硼型双极晶体臂
标签： igbt
上传时间： 2022-06-18
上传用户：shjgzh
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
标签： igbt
上传时间： 2022-06-19
上传用户：wangshoupeng199
