台湾柏彰电源自动测试系统用户帮助手册(HL-S-07.12.11)
上传时间： 2013-10-20
上传用户：cuibaigao
在大功率弧焊电源设计中，IGBT 已成为主流的可控功率开关器件。IGBT 驱动电路作为功率电路和控制电路之间的接口，应具备驱动延迟小、安全隔离、IGBT 过电流／过电压保护准确等功能。针对新型高压大功率IGBT 驱动模块2ED300C17－S 的过电流检测及保护功能进行了研究，提出了与过电流保护功能相关的参数选择原则，并进行了实验验证。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：kaje
TI半导体针对工业应用推出了基于ARM926EJ-S内核的低功耗ARM9处理器AM17xx和AM18xx。其中，AM17xx 和OMAPL137在软件和引脚上兼容；AM18xx 和OMAPL138在软件和引脚上兼容。基于本系列处理器，用户可快速开发出具有强壮可靠操作系统、丰富用户接口、高性能的处理能力的设备。
上传时间： 2013-10-19
上传用户：9牛10
设计了一个工作在S波段矢量阵列的天线单元，利用HFSS软件进行优化和仿真。实测结果表明，该天线在E面和H面的交叉极化电平分别小于-26 dB和-23 dB，两个端口之间的隔离度大于32 dB。该数据满足组成矢量阵列的要求。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：朗朗乾坤
针对电液比例位置控制系统由于非线性和死区特性在实际控制中难以得到满意的控制效果的现状，本研究采用T-S模糊控制理论的原理设计了T-S模糊控制器对电液比例位置控制系统进行控制。并以Matlab为平台进行了仿真实验。仿真结果表明采用T-S模糊控制的电液比例位置控制系统具有较好的控制效果
上传时间： 2013-11-13
上传用户：daoxiang126
用MDK 生成bin 文件1用MDK 生成bin 文件Embest 徐良平在RV MDK 中，默认情况下生成*.hex 的可执行文件，但是当我们要生成*.bin 的可执行文件时怎么办呢？答案是可以使用RVCT 的fromelf.exe 工具进行转换。也就是说首先将源文件编译链接成*.axf 的文件，然后使用fromelf.exe 工具将*.axf 格式的文件转换成*.bin格式的文件。下面将具体说明这个操作步骤：1. 打开Axf_To_Bin 文件中的Axf_To_Bin.uv2 工程文件；2. 打开Options for Target ‘Axf_To_Bin’对话框，选择User 标签页；3. 构选Run User Programs After Build/Rebuild 框中的Run #1 多选框，在后边的文本框中输入C:\Keil\ARM\BIN31\fromelf.exe --bin -o ./output/Axf_To_Bin.bin ./output/Axf_To_Bin.axf 命令行；4. 重新编译文件，在./output/文件夹下生成了Axf_To_Bin.bin 文件。在上面的步骤中，有几点值得注意的是：1. C:\Keil\ARM\BIN31\表示RV MDK 的安装目录；2. fromelf.exe 命令的具体语法格式如下：命令的格式为：fromelf [options] input_file命令选项如下：--help 显示帮助信息--vsn 显示版本信息--output file 输出文件(默认的输出为文本格式)--nodebug 在生成的映象中不包含调试信息--nolinkview 在生成的映象中不包含段的信息二进制输出格式：--bin 生成Plain Binary 格式的文件--m32 生成Motorola 32 位十六进制格式的文件--i32 生成Intel 32 位十六进制格式的文件--vhx 面向字节的位十六进制格式的文件t--base addr 设置m32，i32 格式文件的基地址--text 显示文本信息文本信息的标志-v 打印详细信息-a 打印数据地址(针对带调试信息的映象)-d 打印数据段的内容-e 打印表达式表print exception tables-f 打印消除虚函数的信息-g 打印调试表print debug tables-r 打印重定位信息-s 打印字符表-t 打印字符串表-y 打印动态段的内容-z 打印代码和数据大小的信息
上传时间： 2013-12-17
上传用户：AbuGe
中文版《天线理论与设计》R.S.Elliott 著 王茂光等译
上传时间： 2013-11-22
上传用户：zwei41
Single-Ended and Differential S-Parameters Differential circuits have been important incommunication systems for many years. In the past,differential communication circuits operated at lowfrequencies, where they could be designed andanalyzed using lumped-element models andtechniques. With the frequency of operationincreasing beyond 1GHz, and above 1Gbps fordigital communications, this lumped-elementapproach is no longer valid, because the physicalsize of the circuit approaches the size of awavelength.Distributed models and analysis techniques are nowused instead of lumped-element techniques.Scattering parameters, or S-parameters, have beendeveloped for this purpose [1]. These S-parametersare defined for single-ended networks. S-parameterscan be used to describe differential networks, but astrict definition was not developed until Bockelmanand others addressed this issue [2]. Bockelman’swork also included a study on how to adapt single-ended S-parameters for use with differential circuits[2]. This adaptation, called “mixed-mode S-parameters,” addresses differential and common-mode operation, as well as the conversion betweenthe two modes of operation.This application note will explain the use of single-ended and mixed-mode S-parameters, and the basicconcepts of microwave measurement calibration.
上传时间： 2014-03-25
上传用户：yyyyyyyyyy
用二端口S-参数来表征差分电路的特性■ Sam Belkin差分电路结构因其更好的增益，二阶线性度，突出的抗杂散响应以及抗躁声性能而越来越多地被人们采用。这种电路结构通常需要一个与单端电路相连接的界面，而这个界面常常是采用“巴伦”器件（Balun），这种巴伦器件提供了平衡结构-到-不平衡结构的转换功能。要通过直接测量的方式来表征平衡电路特性的话，通常需要使用昂贵的四端口矢量网络分析仪。射频应用工程师还需要确定幅值和相位的不平衡是如何影响差分电路性能的。遗憾的是，在射频技术文献中，很难找到一种能表征电路特性以及衡量不平衡结构所产生影响的好的评估方法。这篇文章的目的就是要帮助射频应用工程师们通过使用常规的单端二端口矢量网络分析仪来准确可靠地解决作为他们日常工作的差分电路特性的测量问题。本文介绍了一些用来表征差分电路特性的实用和有效的方法， 特别是差分电压，共模抑制（CMRR），插入损耗以及基于二端口S-参数的差分阻抗。差分和共模信号在差分电路中有两种主要的信号类型：差分模式或差分电压Vdiff 和共模电压Vcm（见图2）。它们各自的定义如下[1]：• 差分信号是施加在平衡的3 端子系统中未接地的两个端子之上的• 共模信号是相等地施加在平衡放大器或其它差分器件的未接地的端子之上。
上传时间： 2013-10-14
上传用户：叶山豪
Agilent AN 154 S-Parameter Design Application Note S参数的设计与应用 The need for new high-frequency, solid-state circuitdesign techniques has been recognized both by microwaveengineers and circuit designers. These engineersare being asked to design solid state circuitsthat will operate at higher and higher frequencies.The development of microwave transistors andAgilent Technologies’ network analysis instrumentationsystems that permit complete network characterizationin the microwave frequency rangehave greatly assisted these engineers in their work.The Agilent Microwave Division’s lab staff hasdeveloped a high frequency circuit design seminarto assist their counterparts in R&D labs throughoutthe world. This seminar has been presentedin a number of locations in the United States andEurope.From the experience gained in presenting this originalseminar, we have developed a four-part videotape, S-Parameter Design Seminar. While the technologyof high frequency circuit design is everchanging, the concepts upon which this technologyhas been built are relatively invariant.The content of the S-Parameter Design Seminar isas follows:
标签： S参数
上传时间： 2013-12-19
上传用户：aa54
