加氢反应器设计压力8.82Mpa，设计温度425℃，材料2 1/4Cr-mo，尺寸Di（内径）4400×132mm。其中纵向焊接接头和角接焊接接头采用埋弧自动焊，环向对接接头焊缝采用手工电弧焊封底，埋弧自动焊盖面。相关练习题
标签： 工艺练习题
上传时间： 2020-12-02
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1. Scope ......................................................................................................................................................................... 12. DDR4 SDRAM Package Pinout and Addressing ....................................................................................................... 22.1 DDR4 SDRAM Row for X4,X8 and X16 ................................................................................................................22.2 DDR4 SDRAM Ball Pitch........................................................................................................................................22.3 DDR4 SDRAM Columns for X4,X8 and X16 ..........................................................................................................22.4 DDR4 SDRAM X4/8 Ballout using mo-207......................................................................................................... 22.5 DDR4 SDRAM X16 Ballout using mo-207.............................................................................................................32.6 Pinout Description ..................................................................................................................................................52.7 DDR4 SDRAM Addressing.....................................................................................................................................73. Functional Description ...............................................................................................................................................83.1 Simplified State Diagram ....................................................................................................................................83.2 Basic Functionality..................................................................................................................................................93.3 RESET and Initialization Procedure .....................................................................................................................103.3.1 Power-up Initialization Sequence .............................................................................................................103.3.2 Reset Initialization with Stable Power ......................................................................................................113.4 Register Definition ................................................................................................................................................123.4.1 Programming the mode registers .............................................................................................................123.5 mode Register ......................................................................................................................................................134. DDR4 SDRAM Command Description and Operation ............................................................................................. 244.1 Command Truth Table ..........................................................................................................................................244.2 CKE Truth Table ...................................................................................................................................................254.3 Burst Length, Type and Order ..............................................................................................................................264.3.1 BL8 Burst order with CRC Enabled .........................................................................................................264.4 DLL-off mode & DLL on/off Switching procedure ................................................................................................274.4.1 DLL on/off switching procedure ...............................................................................................................274.4.2 DLL “on” to DLL “off” Procedure ..............................................................................................................274.4.3 DLL “off” to DLL “on” Procedure ..............................................................................................................284.5 DLL-off mode........................................................................................................................................................294.6 Input Clock Frequency Change ............................................................................................................................304.7 Write Leveling.......................................................................................................................................................314.7.1 DRAM setting for write leveling & DRAM termination function in that mode ............................................324.7.2 Procedure Description .............................................................................................................................334.7.3 Write Leveling mode Exit .........................................................................................................................34
标签： DDR4
上传时间： 2022-01-09
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5G移动通信网络关键技术综述.pdf陈 婧，韩远兵，徐 川 (重庆邮电大学未来网络研究中心 重庆 400065) 摘 要: 为适应未来海量移动数据的爆炸式增长，加快新业务新应用的开发，第五代移动通信( fifth generation mo- bile communication network，5G) 网络应运而生。目前，国内外已经逐渐明确了 5G 的愿景和需求，如何将现有技术和 多种潜在的新技术进行融合以实现 5G 网络成为下一步的研究与发展重点。面向未来 5G 的技术发展，介绍 5G 的 概念、应用场景以及终端用户对 5G 的相关需求; 然后，重点阐述 5G 在无线网络方面具有发展前景的 10 大关键技 术，包括: 超密集异构网络、自组织网络、D2D( device-to-device) 通信、M2M( machine-to-machine) 通信、软件定义无线 网络、
上传时间： 2022-02-25
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PSoC 4是真正的可编程嵌入式片上系统，在同一芯片中集成了自定义的模拟和数字外设功能、存储器以及ARM Cortex-mo微控制器这样的系统和大部分混合信号嵌入式系统不完全一样，它们使用了一个微控制器单元（MCU）和外部模拟和数字外设的组合。除MCU外，通常它还需要多个集成电路，如运算放大器、模数转换器（ADC）和应用特定的集成电路（ASIC）PSoC 4提供了一个低成本的备用方案-批量生产中一般低于一美元一该方案可以替代一般的MCU加外部集成电路（IC）的组合方案。它的可编程模拟和数字子系统不仅可以降低整个系统成本，而且还支持极为灵活地调整设计，使产品快速上市。PSoC 4的一流的功耗性能可以在仍保持SRAM数据、可编程逻辑以及响应中断唤醒的前提下仅消耗低达150 nA的电流。在非数据保持的电源模式，PSoC 4仅消耗20 nA的电流。PSoC 4中的电容式触摸感应特性，称为CapSense"，能提供前所未有的信噪比、一流的防水性能以及支持各种类型的传感器，如按键、滑条、触控板和接近传感器。除PSoC4外，赛普拉斯PSoC系列还包括PSoC 1，PSoC 3和PSoC 5LP.这些器件提供了不同的架构和外设，更多有关的信息，请参见赛普拉斯平台PSoC解决方案的路线图PSoC 4系列的比较PSoC4包括下面三个器件系列：CYBC4000，CY8C4100以及CY8C4200，表1显示的是这些器件具有的特性。PSoC 4的功能集PSoC 4具有一个很大的功能集，包括：一个CPU和存储器子系统、一个数字子系统、一个模拟子系统以及全部系统资源，如图1所示。下面各节对每个特性进行了简要说明，更多有关信息，请查看PSoC 4的参考资源一节中所列出的PSoC 4系列器件的数据手册、技术参考手册（TRM）以及应用笔记.图1显示的是CY8C4200器件系列的各项特性。对于其他器件系列具备的这些特性的子集，请参考第2页上的表1.
标签： psoc4
上传时间： 2022-05-29
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一、引言自1956年IBM推出第一台硬盘驱动器IBM RAMAC 350至今已有四十多年了，其间虽没有CPU那种令人眼花缭乱的高速发展与技术飞跃，但我们也确实看到，在这几十年里，硬盘驱动器从控制技术、接口标准、机械结构等方面都进行了一系列改进。正是这一系列技术上的研究与突破，使我们今天终于用上了容量更大、体积更小、速度更快、性能更可靠、价格更便宜的硬盘。如今，虽然号称新一代驱动器的JAZ，DVD-ROM，DVD-RAM，CD-RW，mo，PD等纷纷登陆大容量驱动器市场，但硬盘以其容量大、体积小、速度快、价格便宜等优点，依然当之无愧地成为桌面电脑最主要的外部存储器，也是我们每一台PC必不可少的配置之一。二、硬盘磁头技术1、磁头磁头是硬盘中最昂贵的部件，也是硬盘技术中最重要和最关键的一环。传统的磁头是读写合一的电碗感应式磁头，但是，硬盘的读、写却是两种截然不同的操作，为此，这种二合一磁头在设计时必须要同时兼顾到读/两种特性，从而造成了硬盘设计上的局限。而MR磁头（Magnetoresistive heads），即磁阻磁头，采用的是分离式的磁头结构：写入磁头仍采用传统的磁感应磁头（MR磁头不能进行写操作），读取磁头则采用新型的MR磁头，即所谓的感应写、磁阻读。这样，在设计时就可以针对两者的不同特性分别进行优化，以得到最好的读/写性能。另外，MR磁头是通过阻值变化而不是电流变化去感应信号幅度，因而对信号变化相当敏感，读取数据的准确性也相应提高。而且由于读取的信号幅度与磁道宽度无关，故磁道可以做得很窄，从而提高了盘片密度，达到200MB/英寸2，而使用传统的磁头只能达到20MB/英寸2，这也是MR磁头被广泛应用的最主要原因。目前，MR磁头已得到广泛应用，而采用多层结构和磁阻效应更好的材料制作的GMR磁头（Giant Magnetoresistive heads）也逐渐普及。
上传时间： 2022-06-17
上传用户：zhengtiantong
本书主要包括CAN控制器和单片机的接口技术、CAN总线在A/D采集控制板传输中的应用、支持片上CANopen协议的LPC11Cxx系列微控制器（ARM Cortex-mo内核）的CAN应用设计及CAN总线在酒店客房智能化系统中的工程应用。
上传时间： 2022-07-16
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