igbt模块的研制(从芯片解剖到参数测试)
上传时间: 2013-10-19
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igbt模块驱动及保护技术
上传时间: 2013-10-19
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一种应用于igbt模块的驱动电路具有检测电流保护的作用
上传时间: 2017-02-04
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igbt模块的驱动和保护技术,相关芯片介绍及规范
上传时间: 2013-12-30
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半桥逆变igbt模块压电驱动与保护电路设计_冯国雨
上传时间: 2022-01-10
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全桥逆变电路igbt模块的实用驱动设计
上传时间: 2022-04-04
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电动汽车、混合动力汽车、燃料电池汽车为代表的新能源汽车是实现节能减排目标的重要行业之一。igbt模块作为新能源汽车的核心,其发展受到广泛关注.igbt模块发展的关键在于改善封装方式。本文指出了日前的封装材料在电动汽车逆变器大功率igbt模块的封装过程中存在的缺陷,引入了新型连接材料纳米银焊膏。为了验证纳米银焊膏的连接性能,以确定其能否应用在所需的1GBT模块的制作过程中,本文首先设计了单个模拟芯片的烧结连接实验,通过微x射线断层扫描仪、剪切实验、1描电镜等检测手段,对烧结后的连接层进行了全方位的检测,结果发现虽然连接层没有发现明显的缺陷,但是剪切强度较低,经过分析猜想可能是磁控溅射镀层的质量并不十分可靠,因此又设计用真芯片和小块镀银铜板的烧结连接实验,连接传况良好,剪切实验的过程中,发现是芯片先出现破损,这证明了连接的质量是可靠的。因此可以将纳米银焊膏应用在igbt模块的制作中。本文重点介绍了整个igbt模块的制作方法。采用和之前单个芯片烧结相类似的操作过程,完成整个模块的烧结。烧结完成后通过微 射线断层扫描仪对烧结的质量进行了检测,通过检测发现连接层质量良好。模块烧结连接之后,更做出最终成型的igbt模块,还需要经过外壳设计与制造、打线、灌度、组装等工T艺,从而得到最终的成品,并通过晶体管特性测试仪对模块的基本电性能进行了检测。
上传时间: 2022-06-19
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igbt模块的一些基本知识2·怎样读数据手册3.IGBT的驱动电路4,电压尖峰吸收回路5·短路6,igbt模块的可靠性和实效分析7,仿真软件Melcosim的使用方法8.一些注意事项正的门极电压推荐15V(±10%)如右图所示Vog越高Vceat和Eon越小,损耗减小。但是16.5V以上的话短路耐量很小。所以正的门极电压为+15v±10%最合适。负的门极电压推荐5~10V右图表示开关损失与-Vcg的关系。-Voa=5V时Eoff不再变化,所以最小值设定为-Vo-5合适。另外,IGBT门极上会有尖峰电压重叠,为了防止不出现过大的负电压-Vgの的电压为5~10V最合适。(在一些场合无负压也是可以的)1类短路>桥臂直通>短路回路中电感较小,电流的上升速度极快>容易通过检测Vce(sat)实现保护II类短路>相间短路或对地短路短路回路ф电感稍大,电流的上升速度较慢>可以使用vce(sat),也可以使用霍尔来实现保护>这类短路,回路ф的电感是不确定的
标签: igbt模块
上传时间: 2022-06-21
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三菱电机第5代igbt模块和IPM模块应用手册
上传时间: 2022-07-24
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阐述了IGBT 驱动电路的基本特点, 针对模块器件的特点, 设计了一紧凑、实用的驱动电路板, 解决了功率电子电路中电源多的问题L 试验证明, 此电路可靠, 具有可拓展性和保护功能.
上传时间: 2014-12-24
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