是否要先打开ALLEGRO? 不需要(当然你的机器须有CADENCE系统)。生成完封装后在你的输出目录下就会有几千个器件（全部生成的话）,默认输出目录为c:\MySym\. Level里面的Minimum, Nominal, Maximum 是什么意思？ 对应ipc7351A的ABC封装吗？ 是的 能否将MOST, NOMINAL, LEAST三种有差别的封装在命名上也体现出差别？ NOMINAL 的名称最后没有后缀，MOST的后缀自动添加“Ｍ”，LEAST的后缀自动添加“L”，你看看生成的库名称就知道了。（直插件以及特别的器件，如BGA等是没有MOST和LEAST级别的，对这类器件只有NOMINAL） IC焊盘用长方形好像比用椭圆形的好，能不能生成长方形的？ 嗯。。。。基本上应该是非直角的焊盘比矩形的焊盘好，我记不得是AMD还是NS还是AD公司专门有篇文档讨论了这个问题，如果没有记错的话至少有以下好处：信号质量好、更省空间（特别是紧密设计中）、更省锡量。我过去有一篇帖子有一个倒角焊盘的SKILL，用于晶振电路和高速器件（如ddr的滤波电容)，原因是对宽度比较大的矩形用椭圆焊盘也不合适，这种情况下用自定义的矩形倒角焊盘就比较好了－－－你可以从网上另外一个ddr设计的例子中看到。 当然，我已经在程序中添加了一选择项，对一些矩形焊盘可以选择倒角方式. 刚才试了一下，感觉器件的命名的规范性不是太好，另好像不能生成器件的DEVICE文件，我没RUN完。。。 这个程序的命名方法基本参照IPC-7351，每个人都有自己的命名嗜好，仍是不好统一的；我是比较懒的啦，所以就尽量靠近IPC-7351了。 至于DEVICE，的选项已经添加 (这就是批量程序的好处，代码中加一行，重新生产的上千上万个封装就都有新东西了)。 你的库都是"-"的,请问用过ALLEGRO的兄弟,你们的FOOTPRINT认"-"吗?反正我的ALLEGRO只认"_"(下划线) 用“－”应该没有问题的，焊盘的命名我用的是"_"（这个一直没改动过）。 部分丝印画在焊盘上了。 丝印的问题我早已知道，只是尽量避免开（我有个可配置的SilkGap变量）,不过工作量比较大，有些已经改过，有些还没有；另外我没有特别费功夫在丝印上的另一个原因是，我通常最后用AUTO-SILK的来合并相关的层，这样既方便快捷也统一各个器件的丝印间距，用AUTO-SILK的话丝印线会自动避开SOLDER-MASK的。 点击allegro后命令行出现E- Can't change to directory: Files\FPM，什么原因？ 我想你一定是将FPM安装在一个含空格的目录里面了，比如C:\Program Files\等等之类，在自定义安装目录的时候该目录名不能含有空格，且存放生成的封装的目录名也不能含有空格。你如果用默认安装的话应该是不会有问题的, 默认FPM安装在C:\FPM，默认存放封装的目录为C:\MYSYM 0.04版用spb15.51生成时.allegro会死机.以前版本的Allegro封装生成器用spb15.51生成时没有死机现象 我在生成MELF类封装的时候有过一次死机现象，估计是文件操作错误导致ALLEGRO死机，原因是我没有找到在ｓｋｉｌｌ里面直接生成SHAPE焊盘的方法（FLASH和常规焊盘没问题）, 查了下资料也没有找到解决方法，所以只得在外部调用SCRIPT来将就一下了。（下次我再查查看），用SCRIPT的话文件访问比较频繁（幸好目前MELF类的器件不多）. 解决办法： １、对MELF类器件单独选择生成，其它的应该可以一次生成。 ２、试试最新的版本(当前0.05) 请说明运行在哪类器件的时候ALLEGRO出错，如果不是在MELF附近的话，请告知，谢谢。 用FPM0.04生成的封装好像文件都比较大，比如CAPC、RES等器件，都是300多K，而自己建的或采用PCB Libraries Eval生成的封装一般才几十K到100K左右，不知封装是不是包含了更多的信息？ 我的每个封装文件包含了几个文字层（REF,VAL,TOL,DEV,PARTNUMBER等),SILK和ASSEM也是分开的，BOND层和高度信息，还有些定位线(在DISP层）,可能这些越来越丰富的信息加大了生成文件的尺寸.你如果想看有什么内容的话，打开所有层就看见了（或REPORT） 非常感谢 LiWenHui 发现的BUG, 已经找到原因，是下面这行： axlDBChangeDesignExtents( '((-1000 -1000) (1000 1000))) 有尺寸空间开得太大，后又没有压缩的原因，现在生成的封装也只有几十K了，0.05版已经修复这个BUG了。 Allegro封装生成器0.04生成do-27封装不正确,生成封装的焊盘的位号为a,c.应该是A,B或者1,2才对. 呵呵，DIODE通常管脚名为AC(A = anode, C = cathode) 也有用AK 或 12的， 极少见AB。 除了DIODE和极个别插件以及BGA外，焊盘名字以数字为主, 下次我给DIODE一个选择项，可以选择AC 或 12 或 AK, 至于TRANSISTER我就不去区分BCE/CBE/ECB/EBC/GDS/GSD/DSG/DGS/SGD/SDG等了，这样会没完没了的，我将对TRANSISTER强制统一以数字编号了，如果用家非要改变，只得在生成库后手工修改。
标签： Footprint Maker 0.08 FPM skill
上传时间： 2018-01-10
上传用户：digitzing
全志多媒体芯片，是一款高度集成、低功耗的移动应用处理器,可广泛应用于各种多媒体音视频设备中。基于arm9架构,集成了ddr。它支持高清视频解码,
标签： s_Datasheet_V F1C 100 1.0
上传时间： 2020-12-18
上传用户：
NUC980 是新唐推出的工业控制物联网系列处理器. NUC980 系列采用 ARM926EJ-S 核心，执行速度高达 300 MHz ，有 LQFP64、LQFN128、LQFN216 3 种封装，堆迭 64 MB 或 128 MB ddr-II 记忆体于同一封装。该文档是 nuc980 硬件设计手册，包含如下内容：1、NUC980 电源部分电路设计2、NUC980 复位部分电路设计3、NUC980 上电、下电时序4、时钟电路设计5、EBI（外部总线接口）、ADC、USB、网络、摄像头、QSPI、CAN、SPI、I2S、uart等外设原理图、layout 设计。文件末尾还有参考设计原理图
上传时间： 2021-10-27
上传用户：默默
iMX214 1300万摄像头 带ddr。
上传时间： 2021-11-04
上传用户：yiyewumian
这是一份micron ddr spec仅相关SI测试工程师测试参考
标签： ddr
上传时间： 2021-12-31
上传用户：lostxc
核心板说明（1）ddr模板：RK3288-LPddr3P232SD6-V12-20140623HXS（2）适用的平台：RK3288；（3）支持的ddr类型：LPddr3_2PCS*32BIT（4）最大支持容量：4G（2PCS*32BIT）；（5）板层：6 Layer；（6）贴片方式：ddr器件单面贴,其它器件双面贴；（7）面积：35mm*35mm；
上传时间： 2022-02-01
上传用户：zinuoyu
JESD ddr Specddr5 SDRAM的主要特性是芯片容量，而不仅仅是更高的性能和更低的功耗。ddr5预计将带来4266至6400 MT / s的I / O速度，电源电压降至1.1 V，允许的波动范围为3%（即±0.033V）。每个模块使用两个独立的32/40位通道（不使用/或使用ECC）。此外，ddr5将具有改进的命令总线效率（因为通道将具有其自己的7位地址（添加）/命令（Cmd）总线），更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能
上传时间： 2022-02-02
上传用户：qdxqdxqdxqdx
一博科技PCB设计指导书VER1.0. 66页常见信号介绍 1.1 数字信号 1.1.1 CPU 常称处理器，系统通过数据总线、地址总线、控制总线实现处理器、控制芯片、存 储器之间的数据交换。 地址总线：ADD* （如：Addr1） 数据总线：D* （如：SDDATA0） 控制总线：读写信号（如：WE_N），片选信号（如：SDCS0_N），地址行列选择信 号（如：SDRAS_N），时钟信号（如：CLK），时钟使能信号（如：SDCKE）等。 与CPU对应的存储器是SDRAM，以及速率较高的ddr存储器： SDRAM：是目前主推的PC100和PC133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64位， 支持3.3V电压的LVTTL，目前产品的最高速度可达5ns。它与CPU使用相同的时钟频 率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。 SDRAM与时钟完全同步。 ddr：速率比SDRAM高的内存器，可达到800M，它在时钟触发沿的上、下沿都能进行 数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。它的地址 与其它控制界面与SDRAM相同，支持2.5V/1.8V的SSTL2标准. 阻抗控制在50Ω±10 ％. 利用时钟的边缘进行数据传送的，速率是SDRAM的两倍. 其时钟是采用差分方 式。 1.1.2 PCI PCI总线：PCI总线是一种高速的、32/64位的多地址/数据线，用于控制器件、外围 接口、处理器/存储系统之间进行互联。PCI 的信号定义包括两部份(如下图)：必 须的(左半部份)与可选的（右半部份）。其中“# ”代表低电平有效。
标签： pcb设计
上传时间： 2022-02-06
上传用户：得之我幸78
目前cPU+ Memory等系统集成的多芯片系统级封装已经成为3DSiP（3 Dimension System in Package，三维系统级封装）的主流，非常具有代表性和市场前景，SiP作为将不同种类的元件，通过不同技术，混载于同一封装内的一种系统集成封装形式，不仅可搭载不同类型的芯片，还可以实现系统的功能。然而，其封装具有更高密度和更大的发热密度和热阻，对封装技术具有更大的挑战。因此，对SiP封装的工艺流程和SiP封装中的湿热分布及它们对可靠性影响的研究有着十分重要的意义本课题是在数字电视（DTV）接收端子系统模块设计的基础上对CPU和ddr芯片进行芯片堆叠的SiP封装。封装形式选择了适用于小型化的BGA封装，结构上采用CPU和ddr两芯片堆叠的3D结构，以引线键合的方式为互连，实现小型化系统级封装。本文研究该SP封装中芯片粘贴工艺及其可靠性，利用不导电胶将CPU和ddr芯片进行了堆叠贴片，分析总结了SiP封装堆叠贴片工艺最为关键的是涂布材料不导电胶的体积和施加在芯片上作用力大小，对制成的样品进行了高温高湿试验，分析湿气对SiP封装的可靠性的影响。论文利用有限元软件 Abaqus对SiP封装进行了建模，模型包括热应力和湿气扩散模型。模拟分析了封装体在温度循环条件下，受到的应力、应变、以及可能出现的失效形式：比较了相同的热载荷条件下，改变塑封料、粘结层的材料属性，如杨氏模量、热膨胀系数以及芯片、粘结层的厚度等对封装体应力应变的影响。并对封装进行了湿气吸附分析，研究了SiP封装在85℃RH85%环境下吸湿5h、17h、55和168h后的相对湿度分布情况，还对SiP封装在湿热环境下可能产生的可靠性问题进行了实验研究。在经过168小时湿气预处理后，封装外部的基板和模塑料基本上达到饱和。模拟结果表明湿应力同样对封装的可靠性会产生重要影响。实验结果也证实了，SiP封装在湿气环境下引入的湿应力对可靠性有着重要影响。论文还利用有限元分析方法对超薄多芯片SiP封装进行了建模，对其在温度循环条件下的应力、应变以及可能的失效形式进行了分析。采用二水平正交试验设计的方法研究四层芯片、四层粘结薄膜、塑封料等9个封装组件的厚度变化对芯片上最大应力的影响，从而找到最主要的影响因子进行优化设计，最终得到更优化的四层芯片叠层SiP封装结构。
标签： sip封装
上传时间： 2022-04-08
上传用户：tigerwxf1
X58主板原理图，富士康设计，ICH10芯片组，三通道ddr
标签： X58主板原理图
上传时间： 2022-05-10
上传用户：tqsun2008
