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Nmos

  • (LTSpice)以反相器为例学习仿真MOSFET

    <h2>原理图schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了Nmos(pmos)和Nmos4(pmos4)两种Nmos(pmos)。其中Nmos(pmos)表示衬底(B)和源极(S)相连。mos和mos4能调整的属性不同,如图:本例中要设置mos管的W-0.18u,L=0.18u,选用Nmos4和pmos4.<h3>布线<h3>如图1,其中,mos管Gate靠近的那一极好像是 Source,所以PMOS要ctrl+R,ctrl+R,Ctr+.2,注意加电路名称,功能(如果需要),参数设定。<h2>封装<h2>电路设计采用层次化的方式,为了上层电路的调用,往往把底层的电路做好后进行封装,其实进行封装不仅有利于上层电路调用,还有利于测试。建一个New Symbol,该Symbol里的pin的名称必须和封装电路中的一样。ctrl + A(Attribute Editor中Symbol Type选Block,其他都保持不填。与.asc文件放入同一文件夹。注意:令.asy和.asc文件命名相同,并放在一个文件夹下即可,不需特别关联。

    标签: ltspice mosfet

    上传时间: 2022-06-27

    上传用户:1208020161

  • 降压型直流开关稳压电源

    LM5116 是一款用于由高压或宽范围变化输入电源供电的降压稳压器应用的同步降压控制器。 此控制方法基于采用 一个经仿真电流斜坡的电流模式控制。 电流模式控制可提供固有的线路前馈、逐周期电流限制和简化的环路补偿。 经仿真控制斜坡的使用减少了脉宽调制电路的噪声敏感度,从而实现高输入电压应用中所必需的对极小占空比的可 靠控制。 工作频率可在 50kHz 至 1MHz 之间进行编程。 LM5116 使用自适应死区时间控制来驱动外部高侧和低侧Nmos 功率开关。 一个用户可选二极管仿真模式可实现断续模式运行,以提高轻负载时的效率。 一个低静态电流 关断禁用控制器,并且消耗的总输入电流少于 10µA。 额外特性包括一个高压偏置稳压器、用于提高效率的自动切 换至外部偏压、热关断、频率同步、逐周期限流限制和可调线路欠压闭锁。

    标签: 开关稳压电源

    上传时间: 2022-07-03

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  • cadence-virtuoso的使用简介

    全文将用一个贯穿始终的例子来说明如何绘制版图。这个例子绘制的是一个最简单的非门的版图。S2-1建立版图文件使用library manager.首先,建立一个新的库myLib,关于建立库的步骤,在前文介绍cdsSpice时已经说得很清楚了,就不再赘述。与前面有些不同的地方是:由于我们要建立的是一个版图文件,因此我们在technology file选项中必须选择compile a new tech file,或是attach to an exsiting tech file。这里由于我们要新建一个tech file,因此选择前者。这时会弹出load tech file的对话框,如图2-1-1所示。在ASCII Technology File中填入csmclo0.tf即可。接着就可以建立名为inv的cel了。为了完备起见,读者可以先建立inv的schematic view和symbol view(具体步骤前面已经介绍,其中pmos长6u,宽为0.6u。Nmos长为3u,宽为0.6u。model仍然选择hj3p和hj3n)。然后建立其layout view,其步骤为:在tool中选择virtuoso-layout,然后点击ok。

    标签: cadence virtuoso

    上传时间: 2022-07-20

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