提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。
标签： LDMOS 射频集成电路 击穿
上传时间： 2013-10-18
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基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹配网络，设计出高效率功率放大器。ADS设计仿真表明该功率放大器在中心频率2 160 MHz处的效率达到70%，稳定性好、增益平坦度小等优点。
标签： ADS 高效率 微波功率 放大器设计
上传时间： 2013-11-20
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过去，RF功率的性能完全取决于线性效率。如今，开发者遇到更加复杂的挑战：需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题，飞思卡尔半导体(NYSE：FSL)日前推出新型硅片RF LDMOS功率晶体管Airfast RF功率解决方案，将性能和能效提升至新的高度。飞思卡尔通过新的产品系列解决了这种模式转变带来的问题，该产品系列基于一种更加全面、完整的系统级RF功率技术方法。
标签： Airfast 飞思卡尔 功率 方案
上传时间： 2013-11-24
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主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法，通过电路等效变换，E类射频功率振荡器最终转换成与E类放大器相同的结构，MOS管工作在软开关状态，漏极高电压、大电流不会同时交叠，大大降低了功率损耗，在同等工作条件下，能够获得与E类放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做为功率器件，结合E类射频振荡器在等离子体源中的应用，给出了的设计实例。ADS仿真结果表明，在13.56MHz的工作频率下，振荡器输出功率46W，效率为92%，符合设计预期。
标签： 高效率 E类射频 功率振荡器
上传时间： 2014-02-09
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成电张玉兴教授的专门阐述射频功率放大器的书籍，结合工程实践较为多些，阐述了LDMOS线性功放设计，及传统功率合成的方法以及比较流行的Doherty功放的设计都有所涉及，在国内射频类书籍里算是结合工程实践较为多的一本书。
标签： 射频 微波晶体管 功率放大器
上传时间： 2022-04-20
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