Mantis - a php based bugtracking system Copyright [C] 2000 - 2002 Kenzaburo ITO - kenITO@300baud.orgCopyright [C] 2002 - 2007 Mantis Team- mantisbt-lists.sourceforge.netMantis is free software: you can redistribute it and/or modifyit under the terms of the GNU General Public License as published by the Free Software Foundation, either version 2 of the License, orMantis is distributed in the hope that it will be useful,but WITHOUT ANY WARRANTY without even the implied warranty ofGNU General ublic License for more details.You should have receied a copy of the GNU General Public License along with Mantis.
标签： bugtracking Copyright Kenzaburo Mantis
上传时间： 2017-03-21
上传用户：hwl453472107
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上传时间： 2013-12-02
上传用户：hxy200501
有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间： 2013-07-11
上传用户：liuwei6419
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：wanqunsheng
CTP单层多点设计
上传时间： 2013-11-14
上传用户：banyou
简单介绍了单层多点的实现
上传时间： 2013-10-26
上传用户：Bert520
1引言有要发光二极管（OLED）具有低驱动电压、宽温工作、主动发光、响应速度快和视角宽等优点]，其作为全彩显示器件，与LCD相比，具有更简单的工艺和更低的成本。近年，单色和局域色的OLED显示屏已有较多报道~1，并推出了全彩OLED显示屏~9]。本文研制了尺寸为1.9、分辨率为128（×3）×160的全彩OLED屏。在目前报道的同等或以下尺寸的采用无源矩阵（PM）驱动的全彩OLED屏中，该屏的分辨率处于较高水平。2全彩OLED屏2.1全彩技术的实现图1是5种实现全彩OLED显示屏技术的示意图。本文采用（a）所示的平面结构式，每个全彩像素包括红、绿和蓝3个子像素，利用空间混色实现彩色。这种技术的难点是在制作全彩OLED时，需要将红、绿和蓝OLED的发光层（EML）材料分隔开01。屏的最高分辨率不仅受限于机械掩模制作的公差，还受限于在器件制作工艺过程中机械掩模与ITO基板玻璃的对准误差。2.2P-OLED屏的驱动技术OLFD属于电流型器件，其发光亮度与驱动电流成正比，故OLED均采用恒流源驱动。由于OLED自身较高的寄生电容（20~30pF/pixel）和ITO电极引线的电阻（几～几109/口形成的电压降，对恒流源的性能提出了较高的要求，例如可提供高达~30V的电压。为了实现多灰度显示，电流必须可程控。lare公司为了精确控制每个OLED子像素的发光亮度，提出了预充电方案]。根据有无开关和驱动薄膜晶体管的存在，可将矩阵式OLED的驱动可分为P10l和有源矩阵AM112种。PM驱动的显示器件由于制作工艺比AM要简单得多，且成本低廉，故在小尺寸的显示器件上得到了广泛应用。PM驱动电路如图2所示。
标签： oled
上传时间： 2022-06-24
上传用户：yiyewumian
该点阵的屏显成本相对较低，适用于各类仪器，小型设备的显示领域。液晶模组使用注意事项1 当您在你的产品设计中使用本液晶模组，注意液晶的视角与你的产品用途相一致。2 液晶屏是玻璃为基础的，跌落或与硬物撞击会引起液晶屏破裂或粉碎。尤其是边角处。3 尽管在液晶表面的偏振片有抑制反光的表层，应当小心不要划伤表面，一般推荐在液晶表面采用透明塑胶材料的保护屏。4 如果液晶模组储藏在低于规定的温度以下，液晶材料会凝结而性能恶化。如果液晶模组储藏在高于规定的温度以上，液晶材料的分子排列方向会转变为液态，可能无法恢复到原来的状态。超出温度和湿度范围，会引起偏振片剥落或起泡。因此，液晶模组应储藏在规定的温度范围。5 如液晶表面遇口水或滴水，应立即擦除，避免长时间过后引起色彩变化或留下污点。水蒸气会引起ITO电极腐蚀。6 如果需要清洁液晶屏表面，应该用棉或软布轻快地擦拭，仍不能清除时，呵气之后再擦拭。7 液晶模组的驱动应遵照规定的额定指标，避免故障及永久损坏。对液晶材料施加直流电压，会引起液晶材料迅速恶化，应该确保提供交流波形的M信号的连续应用。特别是，在电源开关时应遵照供电顺序，避免驱动锁存及直流直接加至液晶屏。
标签： 液晶模组
上传时间： 2022-07-18
上传用户：joshau007
