IH 补丁包 可以用于IHistorian的补丁。
标签： IHistorian 补丁 IH
上传时间： 2016-07-27
上传用户：myworkpost
ADXL345的详细介绍资料 本模块使用说明书。 本压缩文件能够利用角度传感器对x，y，z三方的加速度值，角度值进行测量，并集成了1602对其进行显示。 为了便于使用，我们分别将模块单独化，如果您有使用的意向，可以单独摘出 angle.c 引入到您自己新建的工程中。 关于angle.c文件的内部函数使用说明。 首先为了便于使用和方便引用我们对内部函数进行了高度集成化，您在引入angle.c后直接在您的主程序中调用 dis_data();函数，可完成ADXL345芯片的测量数据， 测量数据说明： char as_Xjiasu[6],as_Yjiasu[6],as_Zjiasu[6]; //定义3轴静态重力加速度值的ASCII码值 unsigned char as_Xangel[4],as_Yangel[4],as_Zangel[4]; //定义3轴角度值的ASCII码值 as_Xjiasu[x]数组里边我们为了您的使用直接将 加速度值转换成了 能够直接显示到 1602上的ASCII码值，同理as_Xangel 真实数据存放说明。 float jiasu_xyz[3]; angel_xyz[3]; //存放X,Y,Z 轴的静态重力加速度，角度值 存放了 加速度和角度的真实值（未经转换成ASCII码的数据）--本数据可以用于其他用途，直接参与MCU内部运算等。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：wpwpwlxwlx
报官方回复后恢复和你皇后大道东很多非郭德纲 恢复计划价格改好纠结都会更换的合格开工典礼IH梵蒂冈的
标签： 哈哈哈
上传时间： 2015-05-13
上传用户：polopolo44
晶闸管的主要电参数 晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降 VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
上传时间： 2018-10-12
上传用户：luyh1982
le flows through MOS channel while IH flows across PNP transistor IH= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
标签： igbt
上传时间： 2022-06-19
上传用户：wangshoupeng199
