本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱，并解释其光谱蓝移和红移现象。在属性部分最后介绍了基于密度泛函理论和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料属性上的应用。在芯片结构设计部分，本文提出了三种高效率LED芯片的设计结构，分别是基于双光子晶体的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。涉及到光子晶体理论，蒙特卡罗理论及激光剥离理论，本文分别介绍和分析了各类理论基础，并在此基础上提出新的设计结构，给出仿真分析结果。双光子晶体可以提供较完善的反射层，出射层。微球LED可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。
标签： led
上传时间： 2022-06-25
上传用户：joshau007
多电平逆变器中每个功率器件承受的电压相对较低，因此可以用低耐压功率器件实现高压大容量逆变器，且采用多电平变换技术可以显著提高逆变器输出电压的质量指标。因此，随着功率器件的不断发展，采用多电平变换技术将成为实现高压大容量逆变器的重要途径和方法。本文选取其中一种极具优势的多电平拓扑结构一级联多电平变频器作为研究对象，完成了其拓扑结构、控制策略及测控系统的设计。 @@ 首先，对多电平变频器的研究意义，国内外现状进行了分析，比较了三种成熟拓扑结构的特点，得出了级联型多电平变频器的优点，从而将其作为研究对象。对比分析了四种调制策略，确定载波移相二重化的调制方法和恒压频比的控制策略，进行数学分析和理论仿真，得出了选择的正确性及可行性。并指出了级联单元个数与载波移相角的关系和调制比对输出电压的影响；完成了级联变频器数学模型的建立和死区效应的分析。 @@ 其次，完成了相关硬件的设计，包括DSP、CPLD、IPM的选型，系统电源的设计、检测(转速、电流、电压、故障)电路的设计、通信电路的设计等。用Labwindows/CVI实现了上位机界面的编写，实现了开关机、设定转速、通信配置、电压电流转速检测、电流软件滤波、谐波分析。编写了下位机DSP的串口通信、AD转换、转速检测(QEP)以及部分控制程序。 @@ 最后，在实验台上完成硬件和软件的调试，成功的实现了变频器载波移相SPWM的多电平输出，并驱动异步电机进行了空载变频试验，测控界面能准确的与下位机进行通信，快捷的给定各种控制命令，并能实时的显示变频器的输出频率、输出电压和输出电流，为实验调试增加了方便性，提高了工作效率。 @@关键词：级联多电平逆变器；载波移相；IPM；DSP；Labwindows/CVI；测控界面
上传时间： 2013-04-24
上传用户：米卡
随着电信业的迅猛发展，电信网络总体规模不断扩大，网络结构日益复杂先进。作为通讯支撑系统的通讯用基础电源系统，市场需求逐年增加，其动力之源的重要性也日益突出。庞大的电信网络高效、安全、有序的正常运行，对通信电源系统的品质提出了越来越严格的要求，推动了通信电源向着高效率、高频化、模块化、数字化方向发展。 本文在广泛了解通信电源的行业现状和研究热点的基础上，深入研究了开关电源的基本原理及相关技术，重点分析了开关电源功率因数技术及移相全桥软开关PWM技术的基本原理，并在这基础上设计了一款通信机房常用的48V/25A的通信电源模块，该电源模块由功率因数校正和DC/DC变换两级电路组成，采用了一些最新的技术来提高电源的性能。例如，在电路拓扑中引入软开关技术，通过采用移相全桥软开关PWM变换器实现开关管的零电压开通，减小功率器件损耗，提高电源效率；采用高性能的DSP芯片对电源实现数字PWM控制，克服了一般单芯片控制器由于运行频率有限，无法产生足够高频率和精度的PWM输出及无法完成单周期控制的缺陷；引入了智能控制技术，以模糊自适应PID控制算法取代传统的PID算法，提高了开关电源的动态性能。 整篇论文以电源设计为主线，在详细分析电路原理的基础上，进行系统的主电路参数设计、辅助电路设计、控制回路设计、仿真研究、软件实现。
上传时间： 2013-05-25
上传用户：l254587896
近年来在运动控制领域三电平中压变频器的开发研究得到了广泛关注，三电平逆变器使得电压型逆变器的大容量化、高性能化成为可能，研究和开发三电平逆变器，无论在技术上还是在实际应用上都有十分重要的意义。 本文首先论述了三电平逆变器的原理，详细分析了一种控制策略—空间电压矢量法，给出PWM波的计算公式和开关动作次序，并仿真出波形。 其次阐述了三电平逆变器的主电路构成、功率器件MOSFET的驱动技术和基于DSP2407A控制系统硬件电路设计，并据此设计出了一套小容量三电平逆交器实验装置。 最后介绍了三电平空间电压矢量控制算法的实现和软件设计，给出了实验装置的运行结果，并分析了设计中存在的问题。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：tfyt
在汽車、工業和電信行業的設計師當中，使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗)，以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要
上传时间： 2014-12-01
上传用户：lhc9102
基于槽式聚光热电联供系统，深入分析晶硅电池阵列和砷化镓电池阵列在高倍聚光下的输出特性及输出功率的影响因素+ 研究结果表明，聚光光强下砷化镓电池阵列输出性能优于晶硅电池阵列，高光强会导致光伏电池禁带宽度变窄，短路电流成倍增加，增加输出功率，但同时耗尽层复合率变大，开路电压降低，制约阵列的输出功率；高光强还引起电池温度升高，电池阵列串联内阻增加+ 分析表明聚光作用下电池阵列串联内阻对输出功率影响巨大，串联内阻从&!增加!!，四种电池阵列输出功率分别损失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +
上传时间： 2013-10-17
上传用户：赵一霞a
主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法，通过电路等效变换，E类射频功率振荡器最终转换成与E类放大器相同的结构，MOS管工作在软开关状态，漏极高电压、大电流不会同时交叠，大大降低了功率损耗，在同等工作条件下，能够获得与E类放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做为功率器件，结合E类射频振荡器在等离子体源中的应用，给出了的设计实例。ADS仿真结果表明，在13.56MHz的工作频率下，振荡器输出功率46W，效率为92%，符合设计预期。
上传时间： 2014-02-09
上传用户：yczrl
随着微波半导体器件的成熟，工艺加工技术的改进，以及砷化镓材料设备的完善，器件成品率提高，使单片微波电路的研究已具备现实的条件。微波开关也被单片集成化。这使得微波开关具有体积小，重量轻，结构简单、制作容易、可靠性高等优点，是微波和毫米波控制电路的重要器件，广泛用于微波和毫米波雷达，通信，电子对抗和测量系统中。
上传时间： 2013-11-14
上传用户：c12228
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
上传用户：GGMD
PCB联盟网-科普知识--《电子封装材料与工艺》 学习笔记 54页本人主要从事 IC 封装化学材料（电子胶水）工作，为更好的理解 IC 封装产业的动态和技术，自学了《电子封装材料 与工艺》，貌似一本不错的教材，在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子中，有兴趣的朋友可以前去查看一起探讨第一章 集成电路芯片的发展与制造 1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋 转的荷负电的电子组成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用 的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键； 2、真空管（电子管）： a.真空管问世于 1883 年 Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903 年英格兰的 J.A.Fleming 发现了真 空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极； b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906 年美国发明家 Lee DeForest 在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更 多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能； c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容 易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使 用中退出； 3、半导体理论： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、 磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）； b.二极管（一个 p-n 结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止； c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的 p-n 结组合成一个器件，导致了之！
上传时间： 2022-02-06
上传用户：lijumiao
