能实现VCO 功能的电路很多，常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器，积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点，下面做简要分析，并选择最合适的方案。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：tdyoung
8.1 正弦波振荡器的基本原理 8.2 RC正弦波振荡电路 8.3 LC正弦波振荡电路 8.4 石英晶体振荡电路 8.5 电压比较器 8.6 非正弦波发生电路
标签： 振荡器
上传时间： 2014-12-23
上传用户：yqs138168
多谐振荡器是一种能产生矩形波的自激振荡器，也称矩形波发生器。"多谐"指矩形波中除了基波成分外，还含有丰富的高次谐波成分。多谐振荡器没有稳态，只有两个暂稳态。在工作时，电路的状态在这两个暂稳态之间自动地交替变换，由此产生矩形波脉冲信号，常用作脉冲信号源及时序电路中的时钟信号。
上传时间： 2013-10-14
上传用户：cicizoe
40kHZ超声波发射电路之一，由F1~F3三门振荡器在F3的输出为40kHZ方波，工作频率主要由C1、R1和RP决定，用RP可调电阻来调节频率。 F3的输出激励换能器T40-16的一端和反向器F4，F4输出激励换能器T40-16的另一端，因此，加入F4使激励电压提高了一倍。电容C3、C2平衡F3和F4的输出，使波形稳定。电路中反向器F1~F4用CC4069六反向器中的四个反向器，剩余两个不用(输入端应接地)。电源用9V叠层电池。测量F3输出频率应为40kHZ±2kHZ，否则应调节RP。发射超声波信号大于8m。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：chongchong1234
单片机复位电路和振荡电路应用系统振荡器 晶体/陶瓷振荡器 晶体/陶瓷振荡器等效电路 以下由电阻、电容、电感组成的电路就是晶体/陶瓷振荡器的等效电路。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：浅言微笑
石英具有非凡的机械和压电特性, 使得从19 世纪40 年代中期以来一直作为基本的时钟器件. 尽管在陶瓷, 硅晶和RLC电路方面有60 多年的研究, 在此之前没有哪种材料或技术能替代石英振荡器, 鉴于其异常的温度稳定性和相位噪声特性. 估计2006 年将有100亿颗石英振荡器被制造出来并放置到汽车, 数码相机, 工业设备, 游戏设备, 宽带设备,蜂窝电话, 以及事实上每一种数字产品当中. 石英振荡器的制造数量比地球上的人口还要多.
上传时间： 2013-10-17
上传用户：xinshou123456
影响单片机系统运行稳定性的因素可大体分为外因和内因两部分1. 外因 射频干扰它是以空间电磁场的形式传递在机器内部的导体引线或零件引脚感生出相应的干扰可通过电磁屏蔽和合理的布线/器件布局衰减该类干扰 电源线或电源内部产生的干扰它是通过电源线或电源内的部件耦合或直接传导可通过电源滤波隔离等措施来衰减该类干扰2. 内因 振荡源的稳定性主要由起振时间频率稳定度和占空比稳定度决定起振时间可由电路参数整定稳定度受振荡器类型温度和电压等参数影响 复位电路的可靠性
上传时间： 2013-10-24
上传用户：AbuGe
一概述影响单片机系统运行稳定性的因素可大体分为外因和内因两部分1. 外因 射频干扰它是以空间电磁场的形式传递在机器内部的导体引线或零件引脚感生出相应的干扰可通过电磁屏蔽和合理的布线/器件布局衰减该类干扰 电源线或电源内部产生的干扰它是通过电源线或电源内的部件耦合或直接传导可通过电源滤波隔离等措施来衰减该类干扰2. 内因 振荡源的稳定性主要由起振时间频率稳定度和占空比稳定度决定起振时间可由电路参数整定稳定度受振荡器类型温度和电压等参数影响 复位电路的可靠性二 复位电路的可靠性设计1. 基本复位电路复位电路的基本功能是系统上电时提供复位信号直至系统电源稳定后撤销复位信号为可靠起见电源稳定后还要经一定的延时才撤销复位信号以防电源开关或电源插头分-合过程中引起的抖动而影响复位图1 所示的RC 复位电路可以实现上述基本功能图3 为其输入-输出特性但解决不了电源毛刺A 点和电源缓慢下降电池电压不足等问题而且调整RC 常数改变延时会令驱动能力变差左边的电路为高电平复位有效 右边为低电平Sm 为手动复位开关 Ch 可避免高频谐波对电的干扰
上传时间： 2014-01-18
上传用户：shanxiliuxu
本书以移动通信系统为背景，系统介绍射频系统的各个模块的基本原理，分析其设计方法，以及射频系统的构成与设计的基本知识。本书内容主要包括：射频电路的特点与常见的移动通信系统、传输线、噪声与非线性失真、低噪声放大器、功率放大器、振荡器
上传时间： 2014-01-10
上传用户：leesuper
主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法，通过电路等效变换，E类射频功率振荡器最终转换成与E类放大器相同的结构，MOS管工作在软开关状态，漏极高电压、大电流不会同时交叠，大大降低了功率损耗，在同等工作条件下，能够获得与E类放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做为功率器件，结合E类射频振荡器在等离子体源中的应用，给出了的设计实例。ADS仿真结果表明，在13.56MHz的工作频率下，振荡器输出功率46W，效率为92%，符合设计预期。
上传时间： 2014-02-09
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