随着便携式终端产品处理能力的不断提升以及功能的不断丰富，终端产品的功耗也越来越大，因此待机时间就成为产品的关键性能指标之一。由于便携式终端设备受到体积的限制，不能简单地通过不断增加单节锂电池容量来延长待机时间，因此主电池+备电池的双电池供电方案不啻成为延长待机时间的优选方案。本文介绍了基于充电管理芯片bq24161 以及ORing 控制芯片TPS2419 的双电池供电方案的设计，文中分析了双电池供电方案的设计要求，给出了设计框图以及原理图，在此基础上分析了充电管理电路、ORing 电路的具体设计方法，并且详细分析了各部分电路的工作原理。基于所设计的电路，对其供电可靠性等性能指标进行了测试。测试内容包括在静态负载电流以及动态负载电流条件下，备电插入、拔出过程中对系统供电可靠性的测试。测试结果表明：该方案能够在备电插入、拔出过程中保证系统供电的可靠性，并且能够对充电管理电路进行灵活管理，是一个适合于多种终端设备的双电池供电解决方案。
上传时间： 2014-12-24
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利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 V，输出电压为1.3 V的情况下，当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时，其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs；而在负载电流为100 mA的条件下，电源电压在10 ns内，由1.8 V跳变到2.3 V时，输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。
上传时间： 2013-12-20
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各级Blumlein型脉冲形成网络充电电压的不一致是影响级联脉冲形成网络电压传输效率的因素之一，为了使级联网络的充电电压一致，设计了一种多路充电电源。每路电源由脉冲变压器，IGBT，初级储能电容组成，IGBT的同步触发使得每路电源同时对负载充电。实验结果表明各级网络的充电电压不一致性<0.1%。
上传时间： 2013-10-28
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文中首先介绍了太阳能LED路灯系统的组成，及各组成部分的工作原理。然后详细讨论了用STC90C52单片机实现的太阳能LED路灯控制器的设计，包括用并联式三端稳压管TL431芯片实现的蓄电池充电控制电路、用场效应管实现的负载输出控制电路、用光敏电阻实现的光控电路、用运算放大器实现的检测电路的硬件电路设计和系统软件的实现。
上传时间： 2013-11-18
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为了提高现有路灯的供电效率，开发设计了单灯恒流的供电模式，在每个路灯上安装一个体积很小的的恒流源，以保障给LED灯提供稳定、高效的恒流供电。在恒流源模块中，恒流源芯片HV9910B可以实现了高于70 V的电压的输入，在不同的输入电压下，恒流源芯片工作在恒定关断模式下，控制输出BUCK电路中的开关MOSE的占空比，以输出恒定2.2 A的电流，LED灯串联起来作为负载，效率达到了91%以上。
上传时间： 2013-11-08
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基于1 μm 40V BCD 工艺，使用Cadence软件对原边反馈AC/DC控制器进行仿真和分析。线补偿技术可以使原边反馈AC/DC电路获得很好的负载调整率，抵消电感上所消耗的电压和整流二极管上的压降，使输出达到的最佳值。在输入加220 V交流电压时，输出结果最大值为5.09 V，最小值为5 V，最大负载调整率为9.609%。
上传时间： 2013-10-20
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随着通信信道的复杂度和可靠性不断增加，人们对于电信系统的要求和期望也不断提高。这些通信系统高度依赖于高性能、高时钟频率和数据转换器器 件，而这些器件的性能又非常依赖于系统电源轨的质量。当使用一个高噪声电源供电时，时钟或者转换器 IC 无法达到最高性能。仅仅只是少量的电源噪声，便会对性能产生极大的负面影响。本文将对一种基本 LDO 拓扑进行仔细研究，找出其主要噪声源，并给出最小化其输出噪声的一些方法。 表明电源品质的一个关键参数是其噪声输出，它常见的参考值为 RMS 噪声测量或者频谱噪声密度。为了获得最低 RMS 噪声或者最佳频谱噪声特性，线性电压稳压器（例如：低压降电压稳压器，LDO），始终比开关式稳压器有优势。这让其成为噪声敏感型应用的选择。 基本 LDO 拓扑 一个简单的线性电压稳压器包含一个基本控制环路，其负反馈与内部参考比较，以提供恒定电压—与输入电压、温度或者负载电流的变化或者扰动无关。 图 1 显示了一个 LDO 稳压器的基本结构图。红色箭头表示负反馈信号通路。输出电压 VOUT 通过反馈电阻 R1 和 R2 分压，以提供反馈电压 VFB。VFB 与误差放大器负输入端的参考电压 VREF 比较，提供栅极驱动电压 VGATE。最后，误差信号驱动输出晶体管 NFET，以对 VOUT 进行调节。 图 1 LDO 负反馈环路 简单噪声分析以图 2 作为开始。蓝色箭头表示由常见放大器差异代表的环路子集（电压跟随器或者功率缓冲器）。这种电压跟随器电路迫使 VOUT 跟随 VREF。VFB 为误差信号，其参考 VREF。在稳定状态下，VOUT 大于 VREF，其如方程式 1 所描述：
上传时间： 2013-11-11
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为了产生驱动多幅闪光照相的高重频猝发高压电脉冲，开展了基于硅堆隔离的猝发高压脉冲发生装置的可行性研究。对普通整流硅堆脉冲条件的导通电流，反向关断时间进行了实验研究；采用脉冲形成线产生矩形脉冲，利用不同长度传输线的传输时延产生多脉冲，以硅堆隔离的方式实现多脉冲在负载的输出。研究表明：硅堆在500 ns脉宽条件下，其电流过载至少736倍，关断时间约200 ns，硅堆的绝缘恢复时间决定产生脉冲的最高重复频率。
上传时间： 2013-11-20
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钲铭科SM8013C是一款电流模式的PWM离线式控制芯片，直接驱动外部高压MOS管。采用自适应多模式工作方式，根据负载情况，自动切换到Burst模式，PFM模式，或者PWM模式，满足系统的低待机功耗（<0.3W,265V AC），高转换效率的要求。内部集成多种保护功能，如过流保护、过载保护、VDD过压保护和VDD欠压保护等多种保护。封装形式：DIP8、SOP8、SOT23-6
上传时间： 2013-12-08
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钲铭科SM8012是一款电流模式的PWM离线式控制芯片，内置高压开关MOS管。采用自适应多模式工作方式，根据负载情况，自动切换到Burst模式，PFM模式，或者PWM模式，满足系统的低待机功耗（<0.3W@265V AC），高转换效率的要求。内部集成多种保护功能，如过流保护、过载保护、VDD过压保护和VDD欠压保护等多种保护。封装形式：DIP8
上传时间： 2013-11-24
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