中国振华集团云科电子有限公司 振华云科拥有从日本、美国等国家引进的先进自动化生产线，片式电阻器年产能达100多亿只，建立了完善的进料检验、过程检验、出货检验等检测手段。主要产品涉及RMK1005、RMK1608、RMK2012、RMK3216、RMK3225、RMK5025、RMK6332型片式膜电阻器，RNK5084、RNK5085、RNK5086、RN5161、RN5101R、RN5102R、RN5103D、RN5041、RN5042型片式膜电阻网路，RM3263-3W、RM6332-4W、RM6363-6W大功率片式电阻器，RM6363型片式厚膜火工品电阻器，熔断器，PPTC热敏电阻器（PPTC可恢复保险丝），CEP系列静电抑制器，单层片式瓷介电容器，微带薄膜滤波器，电子浆料，贵金属粉体等。振华云科先后向航空、航天、船舶、兵器、核工业、电子等领域提供上亿只产品，被多家用户评为优秀供应商。
标签： 产品手册 振华 云科 电阻 熔断器 芯片电容 温补衰减器
上传时间： 2018-04-16
上传用户：gs001588
宽带功率放大器：该产品无论是在军事领域还是民用领域都发挥着极其重要的作用，该领域相关产品已于2012年被美国国防部对中华人民共和国实施了军事禁运。
上传时间： 2019-04-11
上传用户：yntoppower
声呐系统在水中兵器领域以及海洋技术等领域至关重要。而大功率宽带水声线性功率放大器作为声呐系统的重要组成部分，其性能直接决定了整个声呐系统的性能指标。 与欧美发达国家相比，我国的水声技术还相对落后，为遏制我国海军水声装备的发展，欧美国家对一些高端的水声设备（水声功率放大器等）和技术采取了禁运等保护措施。
上传时间： 2019-04-11
上传用户：yntoppower
2SB772是PNP大功率三极管。 基本参数如下： 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）： 1.1V @ 150mA, 3A 电流 - 集电极截止（最大）： 100μA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ：100 @ 100mA, 2V 功率 - 最大 ：12.5W 频率 - 转换 ：100MHz
上传时间： 2021-06-25
上传用户：xiangshuai
散热设计的一些基本原则 从有利于散热的角度出发,印制版最好是直立安装,板与板之间的距离一般不应小于2cm,而且器件在印制版上的排列方式应遵循一定的规则: ·对于采用自由对流空气冷却的设备,最好是将集成电路(或其它器件)按纵长方式排列,如图3示;对于采用强制空气冷却的设备,最好是将集成电路(或其它器件)按横长方式排列. ·同一块印制板上的器件应尽可能按其发热量大小及散热程度分区排列,发热量小或耐热性差的器件(如小信号晶体管、小规模集成电路、电解电容等)放在冷却气流的最上流(入口处),发热量大或耐热性好的器件(如功率晶体管、大规模集成电路等)放在冷却气流最下游. ·在水平方向上,大功率器件尽量靠近印制板边沿布置,以便缩短传热路径;在垂直方向上,大功率器件尽量靠近印制板上方布置,以便减少这些器件工作时对其它器件温度的影响. ·对温度比较敏感的器件最好安置在温度最低的区域(如设备的底部),千万不要将它放在发热器件的正上方,多个器件最好是在水平面上交错布局.
标签： 开关电源
上传时间： 2021-10-27
上传用户：fliang
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
上传用户：
基于TMS320F2812 光伏并网发电模拟装置PROTEL设计原理图+PCB+软件源码+WORD论文文档,硬件采用2层板设计，PROTEL99SE 设计的工程文件，包括完整的原理图和PCB文件，可以做为你的学习设计参考。 摘要：本文实现了一个基于TMS320F2812 DSP芯片的光伏并网发电模拟装置，采用直流稳压源和滑动变阻器来模拟光伏电池。通过TMS320F2812 DSP芯片ADC模块实时采样模拟电网电压的正弦参考信号、光伏电池输出电压、负载电压电流反馈信号等。经过数据处理后，用PWM模块产生实时的SPWM 波，控制MOSFET逆变全桥输出正弦波。本文用PI控制算法实现了输出信号对给定模拟电网电压的正弦参考信号的频率和相位跟踪，用恒定电压法实现了光伏电池最大功率点跟踪（MPPT），从而达到模拟并网的效果。另外本装置还实现了光伏电池输出欠压、负载过流保护功能以及光伏电池输出欠压、过流保护自恢复功能、声光报警功能、孤岛效应的检测、保护与自恢复功能。系统测试结果表明本设计完全满定设计要求。关键词：光伏并网，MPPT，DSP Photovoltaic Grid-connected generation simulator Zhangyuxin，Tantiancheng，Xiewuyang(College of Electrical Engineering, Chongqing University)Abstract: This paper presents a photovoltaic grid-connected generation simulator which is based on TMS320F2812 DSP, with a DC voltage source and a variable resistor to simulate the characteristic of photovoltaic cells. We use the internal AD converter to real-time sampling the referenced grid voltage signal, outputting voltage of photovoltaic, feedback outputting voltage and current signal. The PWM module generates SVPWM according to the calculation of the real-time sampling data, to control the full MOSFET inverter bridge output sine wave. We realized that the output voltage of the simulator can track the frequency and phase of the referenced grid voltage with PI regulation, and the maximum photovoltaic power tracking with constant voltage regulation, thereby achieved the purpose of grid-connected simulation. Additionally, this device has the over-voltage and over-current protection, audible and visual alarm, islanding detecting and protection, and it can recover automatically. The testing shows that our design is feasible.Keywords: Photovoltaic Grid-connected，MPPT，DSP 目录引言 11. 方案论证 11.1. 总体介绍 11.2. 光伏电池模拟装置 11.3. DC-AC逆变桥 11.4. MOSFET驱动电路方案 21.5. 逆变电路的变频控制方案 22. 理论分析与计算 22.1. SPWM产生 22.1.1. 规则采样法 22.1.2. SPWM 脉冲的计算公式 32.1.3. SPWM 脉冲计算公式中的参数计算 32.1.4. TMS320F2812 DSP控制器的事件管理单元 42.1.5. 软件设计方法 62.2. MPPT的控制方法与参数计算 72.3. 同频、同相的控制方法和参数计算 8
标签： tms320f2812 光伏 并网发电 模拟 protel pcb
上传时间： 2021-11-02
上传用户：
新能源汽车用大电流大功率直流继电器技术手册 变频器可用
标签： 直流继电器
上传时间： 2021-11-03
上传用户：
HX3330B 是一款内置 100V 功率 NMOS 高效率高 精度开关升压型大功率 LED 恒流驱动芯片。HX3330B 采用固定关断时间的锋值电流控制方式，关断时间 可以通过外部电容进行调节，工作频率可以根据用 户要求而改变。 HX3330B 通过调节外置的电流采样电阻，能控 制高亮度的 LED 灯的驱动电流，使 LED 灯亮度达到 预期恒定亮度。 HX3330B 在 EN 端加 PWM 信号，可以进行 LED 灯 调光。HX3330B 内部还集成了 VDD 稳压管，软启动 及过温保护电路灯，减少外围元件并提高了系统的 可靠性。HX3330B 并采用了 ESOP8 封装。散热片内置接 SW 脚。
标签： HX3330B
上传时间： 2021-11-05
上传用户：1208020161
USB PD3.1正式发布,上述文档是此标准的详细内容5月25日，USB-IF协会推出了USB Type-C线缆和接口标准v2.1版本，其中更新了有关供电能力的章节。USB PD3.1规范将原来的USB PD3.0内容归到标准功率范围（Standard Power Range，简称SPR）里面，最大功率保持100W不变；同时增加了扩展功率范围（Extended Power Range，简称EPR），最大功率由100W扩展到240W。
上传时间： 2021-11-13
上传用户：
