快速掌握电阻的命名规则和封装,读取电阻的阻值
上传时间: 2013-04-24
上传用户:whenfly
Altera_FPGA管脚弱上拉电阻的软件设置方法
标签: Altera_FPGA 管脚 上拉电阻 软件
上传时间: 2013-08-13
上传用户:hj_18
增益可变运放AD603_的原理及应用
上传时间: 2013-12-18
上传用户:macarco
采用单片机的8位输出口,每个输出口接入1只电阻,其阻值为2n次方,由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联),此电阻接入比较器并控制可控硅导通角,实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。
上传时间: 2013-10-26
上传用户:hjkhjk
提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实现了低电压低功耗。为得到较宽的增益范围,应用了一种新颖的伪幂指函数。利用Cadence中spectre工具仿真,结果表明,在1.2 V的工作电压下,具有76 dB的增益,控制电压范围超过0.8 V,带宽范围从34 MHz到183.6 MHz,功耗为0.82 mW。
上传时间: 2013-11-09
上传用户:笨小孩
mos管门级驱动电阻计算
上传时间: 2013-12-19
上传用户:王楚楚
上下拉电阻的小结,希望对大家有用
标签: 下拉电阻
上传时间: 2013-10-21
上传用户:18165383642
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间: 2013-10-21
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0欧电阻的作用
标签: 电阻
上传时间: 2014-12-23
上传用户:Yukiseop
I2C 的上拉电阻可以是1.5K,2.2K,4.7K, 电阻的大小对时序有一定影响,对信号的上升时间和下降时间也有影响,一般接1.5K 或2.2K.
上传时间: 2013-11-06
上传用户:michael20