常年硬件开发 所积累的IC功放电路 涉及RFID射频技术 酒店锁之类
上传时间： 2013-07-31
上传用户：是王洪文
提出了一种利用FPGA技术解决ARINC429通信的实现方案,该方案不仅使国内的ARINC429通信设备摆脱了对国外ASIC电路的依赖,还降低了设备成本,并且克服了国外ASIC电路的不足,实现了任意长度数据帧的群收和群发功能,具有较好的应用前景。利用该方案研制的ARINC429数据通信卡,已成功应用于空空导弹测控设备中。\r\n
上传时间： 2013-08-13
上传用户：极客
第一部分 信号完整性知识基础.................................................................................5第一章 高速数字电路概述.....................................................................................51.1 何为高速电路...............................................................................................51.2 高速带来的问题及设计流程剖析...............................................................61.3 相关的一些基本概念...................................................................................8第二章 传输线理论...............................................................................................122.1 分布式系统和集总电路.............................................................................122.2 传输线的RLCG 模型和电报方程...............................................................132.3 传输线的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本质.................................................................................142.3.2 特征阻抗相关计算.............................................................................152.3.3 特性阻抗对信号完整性的影响.........................................................172.4 传输线电报方程及推导.............................................................................182.5 趋肤效应和集束效应.................................................................................232.6 信号的反射.................................................................................................252.6.1 反射机理和电报方程.........................................................................252.6.2 反射导致信号的失真问题.................................................................302.6.2.1 过冲和下冲.....................................................................................302.6.2.2 振荡：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分线的匹配.................................................................................392.6.3.4 多负载的匹配.................................................................................41第三章 串扰的分析...............................................................................................423.1 串扰的基本概念.........................................................................................423.2 前向串扰和后向串扰.................................................................................433.3 后向串扰的反射.........................................................................................463.4 后向串扰的饱和.........................................................................................463.5 共模和差模电流对串扰的影响.................................................................483.6 连接器的串扰问题.....................................................................................513.7 串扰的具体计算.........................................................................................543.8 避免串扰的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的产生..................................................................................................614.2.1 电压瞬变.............................................................................................614.2.2 信号的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 电场屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁场屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 电磁场屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 电磁屏蔽体和屏蔽效率.................................................................684.3.2 滤波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦电容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 设计中的EMI.......................................................................................754.4.1 传输线RLC 参数和EMI ........................................................................764.4.2 叠层设计抑制EMI ..............................................................................774.4.3 电容和接地过孔对回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走线规则.................................................................................79第五章 电源完整性理论基础...............................................................................825.1 电源噪声的起因及危害.............................................................................825.2 电源阻抗设计.............................................................................................855.3 同步开关噪声分析.....................................................................................875.3.1 芯片内部开关噪声.............................................................................885.3.2 芯片外部开关噪声.............................................................................895.3.3 等效电感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路电容的特性和应用.............................................................................925.4.1 电容的频率特性.................................................................................935.4.3 电容的介质和封装影响.....................................................................955.4.3 电容并联特性及反谐振.....................................................................955.4.4 如何选择电容.....................................................................................975.4.5 电容的摆放及Layout ........................................................................99第六章 系统时序.................................................................................................1006.1 普通时序系统...........................................................................................1006.1.1 时序参数的确定...............................................................................1016.1.2 时序约束条件...................................................................................1063.2 高速设计的问题.......................................................................................2093.3 SPECCTRAQuest SI Expert 的组件.......................................................2103.3.1 SPECCTRAQuest Model Integrity .................................................2103.3.2 SPECCTRAQuest Floorplanner/Editor .........................................2153.3.3 Constraint Manager .......................................................................2163.3.4 SigXplorer Expert Topology Development Environment .......2233.3.5 SigNoise 仿真子系统......................................................................2253.3.6 EMControl .........................................................................................2303.3.7 SPECCTRA Expert 自动布线器.......................................................2303.4 高速设计的大致流程...............................................................................2303.4.1 拓扑结构的探索...............................................................................2313.4.2 空间解决方案的探索.......................................................................2313.4.3 使用拓扑模板驱动设计...................................................................2313.4.4 时序驱动布局...................................................................................2323.4.5 以约束条件驱动设计.......................................................................2323.4.6 设计后分析.......................................................................................233第四章 SPECCTRAQUEST SIGNAL EXPLORER 的进阶运用..........................................2344.1 SPECCTRAQuest Signal Explorer 的功能包括：................................2344.2 图形化的拓扑结构探索...........................................................................2344.3 全面的信号完整性(Signal Integrity)分析.......................................2344.4 完全兼容 IBIS 模型...............................................................................2344.5 PCB 设计前和设计的拓扑结构提取.......................................................2354.6 仿真设置顾问...........................................................................................2354.7 改变设计的管理.......................................................................................2354.8 关键技术特点...........................................................................................2364.8.1 拓扑结构探索...................................................................................2364.8.2 SigWave 波形显示器........................................................................2364.8.3 集成化的在线分析(Integration and In-process Analysis) .236第五章 部分特殊的运用...............................................................................2375.1 Script 指令的使用..................................................................................2375.2 差分信号的仿真.......................................................................................2435.3 眼图模式的使用.......................................................................................249第四部分：HYPERLYNX 仿真工具使用指南............................................................251第一章 使用LINESIM 进行前仿真.......................................................................2511.1 用LineSim 进行仿真工作的基本方法...................................................2511.2 处理信号完整性原理图的具体问题.......................................................2591.3 在LineSim 中如何对传输线进行设置...................................................2601.4 在LineSim 中模拟IC 元件.....................................................................2631.5 在LineSim 中进行串扰仿真...................................................................268第二章 使用BOARDSIM 进行后仿真......................................................................2732.1 用BOARDSIM 进行后仿真工作的基本方法...................................................2732.2 BoardSim 的进一步介绍..........................................................................2922.3 BoardSim 中的串扰仿真..........................................................................309
上传时间： 2014-04-18
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同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
HCS08HCS12系列单片机 飞思卡尔公司的 HCS08/HCS12 系列 MCU，因其速度快、功能强、功耗小、价 格低等特点，在业界得到了广泛的应用。 在 HCS08/HCS12 系列 MCU 中，飞思卡尔引入了新的片上调试技术——BDM。 这种调试技术由于其优越的性能而逐渐被业界接受，成为广泛使用的MCU在线编程 调试方法。针对 BDM 技术，国外公司提供了功能强大的编程调试器，但价格高昂， 难以被国内广大用户接受；国内一些高校也进行了相关研究开发，但是研发的编程调 试器大多存在以下三个问题：一是随着飞思卡尔MCU总线频率的不断提高，这些编 程调试器已经不能适应与高频率MCU的通信的要求；二是无法与飞思卡尔的集成开 发环境 CodeWarrior 兼容，使用很不方便；三是由于采用 USB1.1 协议，导致整体通 信速度很慢。 本文对国内外已有的HCS08/HCS12 编程调试器进行了深入的技术分析，综合目 前微控制器的最新发展技术，提出了采用USB2.0 通信接口的编程调试器硬件及底层 驱动的设计方案，实现了一种新型高效的适用于飞思卡尔 HCS08/HCS12 系列 MCU 的 USBDM（Universal BDM，通用 BDM编程调试器)，有效地解决了国内编程调试 器普遍存在的频率瓶颈及通信速度。同时，本文在研究CodeWarrior的通信接口规范 的基础上，剖析了CodeWarrior中通信接口函数的功能，实现了作者编程调试器体系 中的通信函数，使之适用于 CodeWarrior 开发环境。USBDM 编程调试器通信函数动 态链接库的设计，不仅便于使用编程调试器进行二次开发，也方便了驱动程序的更新。
上传时间： 2013-10-28
上传用户：youke111
毕业设计 USB TO Gigabit LAN 网卡 随着网络技术飞速发展，多媒体的应用越来越多，人们对网络的要求也越来越高，为了适应市场的需求，网卡出现了。它以其结构简单、成本低廉、兼容性强等诸多的优越性得到了广泛的应用。由于网络的应用越来越广泛，网卡的应用也越来越多、功能越来越强大。开始时由于技术方面的限制，网卡只有10Mbps的吞吐量，由于网络技术的发展，100Mbps吞吐量的网卡开始在市场上得到广泛的应用。而现在1000Mbps吞吐量的网卡的出现又给网络的传输带来了新的活力。 论文中主要阐述了基于以太网的USB TO Gigabit LAN网卡的设计与制作。论文首先对以太网进行了介绍，紧接着讲了网卡的基本知识。随后又对USB TO Gigabit LAN网卡的电路设计和制作进行了详细的描述。论文还包括了USB TO Gigabit LAN网卡的调试等内容。
上传时间： 2014-12-02
上传用户：wab1981
摘要：互操作性是一个系统经过很少甚至无需系统操作员介入而实现与其它系统协同工作的能力。系统的互操作性使其有可能为其它系统提供服务或接受其它系统的服务,使得不同厂商的系统能够协同工作。本应用笔记介绍如何设置DS34S132 TDM-over-Packet (TDMoP) IC，使其与其它TDMoP器件实现互操作。 引言 毋庸讳言，当今的通信系统需要不同设备和设备之间的复杂交互。随着技术的进步，互操作性也变得更加重要。互操作性是一个系统经过很少甚至无需系统操作员介入而实现与其它系统协同工作的能力。系统的互操作性使其有可能为其它系统提供服务或接受其它系统的服务，从而使不同厂商的系统能够协同工作。 本应用笔记着重介绍Maxim TDM-over-Packet (TDMoP) IC，DS34S132。文章介绍了在DS34S132与其他厂商TDMoP器件之间实现互操作性的设置要求。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：angle
【摘要】通过对基于AVR 的SD 卡数据导出接口设计的描述，在系统总体结构思路基础上，提出系统的硬 件构成，详细分析了软件各部分的功能及实现。本设计在数据存储和交换领域具有很好的应用前景。 【关键词】SD 卡嵌入式系统SPI FAT32 数据库 SD 卡存储介质是一种新的大容量、非易失性外部存储系 统，它的出现提供了一个便宜的、结实的、卡片式的存储媒介。 SD 卡的容量从16 MB 到最高32 GB 不等。容量范围如此之 宽，可为众多应用提供充足的外部存储空间。 SD 卡作为各种消费电子产品外部存储的应用、开发技术 己经非常成熟、广泛。本设计尝试在AVR 单片机上实现对SD 卡读写操作，进而实现对SD 卡上数据库进行读写操作
上传时间： 2013-11-13
上传用户：13925096126
摘要：本文为APPLE II徽型计算机提供了一种康价的单片机调试卡,该卡充分地利用了徽机系统的资源,采用DMA通讯技术实现了主存共事及单片机与650CPU的并行运行。关健词：APPLE II徽型计算机；单片机；调试卡
上传时间： 2014-01-22
上传用户：weixiao99
摘要:介绍51单片机与各种移动存储卡(CF,MMC,SD和U盘)接口技术。关键词:CF卡，MMC卡，SD存储卡，USB,SL811HS,FAT文件系统
上传时间： 2013-11-12
上传用户：hanhanhan
