非接触式感应充电电路
上传时间： 2013-11-05
上传用户：cjl42111
单相正弦波逆变电源详细介绍
上传时间： 2013-10-28
上传用户：maqianfeng
对于单相正弦波逆变电源设计提供了一种比较好的解决方案
上传时间： 2013-11-16
上传用户：jx_wwq
EG8010是一款数字化的、功能很完善的自带死区控制的纯正弦波逆变发生器芯片，应用于DC-DC-AC两级功率变换架构或DC-AC单级工频变压器升压变换架构，外接12MHz晶体振荡器，能实现高精度、失真和谐波都很小的纯正弦波50Hz或60Hz逆变器专用芯片。该芯片采用CMOS工艺，内部集成SPWM正弦发生器、死区时间控制电路、幅度因子乘法器、软启动电路、保护电路、RS232串行通讯接口和12832串行液晶驱动模块等功能。 应用领域 单相纯正弦波逆变器 光伏发电逆变器 风力发电逆变器 不间断电源UPS系统 数码发电机系统 中频电源 单相电机调速控制器 单相变频器 正弦波调光器 正弦波调压器 正弦波发生器 逆变焊机
上传时间： 2014-07-04
上传用户：fairy0212
现有的逆变器，有方波输出和正弦波输出的。方波输出的逆变器效率高，但对于都是为正弦波电源设计的电器来说，使用总是不放心，虽然可以适用于许多电器，但部分电器就不适用，或用起来电器的指标会变化。正弦波输出的逆变器就没有这方面的缺点，却存在效率低的缺点。为此笔者设计了一款高效率正弦波逆变器，其电路如图1。
上传时间： 2014-04-17
上传用户：363186
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
目前的有源电力滤波器通常是采用基于瞬时无功功率理论的谐波电流检测方法。其中的ip-iq算法需要用到与电网电压同步的正余弦信号，即与电网电压同频同相的标准正余弦信号。该信号的获取可以采用锁相环加正余弦函数发生器的方法，也可采用软件查表的方法。本设计采用全硬件电路完成，即通过锁相环加正弦函数发生器的方法，可自动实时跟踪电网电压的频率和相位，不占用微处理器的软、硬件资源，大大降低了谐波检测算法编程的复杂度。
上传时间： 2013-10-22
上传用户：wxnumen
人们经常需要从旋转部件和其它运动机件上获取各类技术参数。随着电子技术的发展, 非接触测量技术越来越显示其优越性, 虽已在工程领域获得了广泛应用, 但是普遍存在供电问题, 目前非接触供电常用的有四种形式
上传时间： 2013-10-20
上传用户：lepoke
正弦函数取样小软件
上传时间： 2013-10-10
上传用户：从此走出阴霾
波形种类：正弦波、方波。 频率上限：12M.个人亲自实现，波形相当稳定，频率及相位均可任意调节。
上传时间： 2013-11-25
上传用户：lvchengogo
