經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
标签： MOSFET EMI 电压电流 控制
上传时间： 2014-09-08
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透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應力越小，電源效率也就越高。
标签： 输入电容 电流
上传时间： 2013-11-11
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随着通信信道的复杂度和可靠性不断增加，人们对于电信系统的要求和期望也不断提高。这些通信系统高度依赖于高性能、高时钟频率和数据转换器器 件，而这些器件的性能又非常依赖于系统电源轨的质量。当使用一个高噪声电源供电时，时钟或者转换器 IC 无法达到最高性能。仅仅只是少量的电源噪声，便会对性能产生极大的负面影响。本文将对一种基本 LDO 拓扑进行仔细研究，找出其主要噪声源，并给出最小化其输出噪声的一些方法。 表明电源品质的一个关键参数是其噪声输出，它常见的参考值为 RMS 噪声测量或者频谱噪声密度。为了获得最低 RMS 噪声或者最佳频谱噪声特性，线性电压稳压器（例如：低压降电压稳压器，LDO），始终比开关式稳压器有优势。这让其成为噪声敏感型应用的选择。 基本 LDO 拓扑 一个简单的线性电压稳压器包含一个基本控制环路，其负反馈与内部参考比较，以提供恒定电压—与输入电压、温度或者负载电流的变化或者扰动无关。 图 1 显示了一个 LDO 稳压器的基本结构图。红色箭头表示负反馈信号通路。输出电压 VOUT 通过反馈电阻 R1 和 R2 分压，以提供反馈电压 VFB。VFB 与误差放大器负输入端的参考电压 VREF 比较，提供栅极驱动电压 VGATE。最后，误差信号驱动输出晶体管 NFET，以对 VOUT 进行调节。 图 1 LDO 负反馈环路 简单噪声分析以图 2 作为开始。蓝色箭头表示由常见放大器差异代表的环路子集（电压跟随器或者功率缓冲器）。这种电压跟随器电路迫使 VOUT 跟随 VREF。VFB 为误差信号，其参考 VREF。在稳定状态下，VOUT 大于 VREF，其如方程式 1 所描述：
标签： LDO 德州仪器 家 分
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大电流输出开关电源电路
标签： 250W 大电流 输出开关 电源电路
上传时间： 2013-11-16
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PSPICE“交流小信号分析”运用到PWM型开关电源上
标签： PSPICE PWM 交流 小信号分析
上传时间： 2014-12-24
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几种常见的电压电流转换电路
标签： 电压电流 转换电路
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数控直流电流源
标签： C51 数控直流 电流源 程序
上传时间： 2013-10-08
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永磁同步电机FOC算法的流三相电流重构算法。
标签： FOC 永磁同步电机 三相电流 算法
上传时间： 2013-10-15
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全桥DCDC变换器平均电流控制模式控制分析
标签： DCDC 全桥 变换器 分
上传时间： 2013-11-18
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钲铭科SM8015是一个离线式中大功率电流模式PWM控制芯片，应用于AC/DC反激式开关电源系统。采用多模式自动切换控制方式，满足系统的低待机功耗（<0.3W,265V AC），高转换效率的要求。内部集成过流保护、过载保护、过温保护、VDD过压保护等完善的保护功能以提高系统可靠性。封装形式：DIP8、SOP8
标签： 8015 PWM SM 大功率
上传时间： 2013-10-27
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