开关电源相关专辑 119册 749M不连续导电模式高功率因数开关电源 161页 3.2M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
抗多径衰落是正交频分复用（OFDM）系统的显著特点之一。具体分析了 OFDM 抗多径的机理，说明了两种不同情况下多径对信号频谱的影响，并提出了相应的减轻多径影响的方法。通过仿真分析验证了HiperLAN Type2 标准规定的 OFDM 系统的抗多径性能，并提出了一些改善系统性能的方法。 关键词：正交频分复用；多径信道；循环前缀；信道
上传时间： 2016-06-05
上传用户：mengmeng
导电温控器通讯手册日本岛电公司MR13调节器通讯接口
上传时间： 2018-10-09
上传用户：dlside
基于量子力学的腐蚀机理-胡军这是一份非常不错的资料，欢迎下载，希望对您有帮助！
标签： 量子力学
上传时间： 2022-01-27
上传用户：xsr1983
该文档为神经网络的基本机理和结构讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 神经网络
上传时间： 2022-02-20
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
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作者Alan Hastings具有渊博的集成电路版图设计知识和丰富的实践经验。本书以实用和权威性的观点全面论述了模拟集成电路版图设计中所涉及的各种问题及目前的最新研究成果。书中介绍了半导体器件物理与工艺、失效机理等内容；基于模拟集成电路设计所采用的3种基本工艺：标准双极工艺、CMOS硅栅工艺和BiCMOS工艺，重点探讨了无源器件的设计与匹配性问题，二极管设计，双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用，以及某些专门领域的内容，包括器件合并、保护环、焊盘制作、单层连接、ESD结构等；最后介绍了有关芯片版图的布局布线知识。本书可作为相关专业高年级本科生和研究生教材，对于专业版图设计人员也是一本极具价值的参考书。
上传时间： 2013-06-23
上传用户：天大地大
接地电阻值是反映变电站地网电气性能的主要参数之一,其合格与否将直接影响变电站和电网的安全运行.该文的主要工作是用矩量法对变电站电网的接地电阻进行数值计算和编制相应的应用软件.该文在Win95环境下利用32位的VB和C++语言编写了接地电阻数值计算的软件系统.该软件系统不仅可以计算均匀和分层均匀土壤中地网的接地电阻,还可以计算接触电压、跨步电压、地表电位分布、单元流散电流分布等.此外,该软件还具有显示和打印地表电位分布曲线及单元流散电流分布曲线的功能.该文的另外一部分工作是对变电站地网接地电阻的测量技术进行了初步研究.在分析电流电压法测量原理的基础上,探讨了布极误差和干扰误差的产生机理,并提出了消除这两种误差的具体方法,在理论上解决了土壤结构模型、测试极位置、地网尺寸和工频干扰等因素带来的测量误差,从而大大提高接地电阻的测量精度.
上传时间： 2013-06-03
上传用户：lmeeworm
该文的主要内容是对螺管式步进比例电磁铁磁场的电磁吸力产生机理、结构形式、电磁吸力数值计算和参数优化设计等进行分析研究.为了使衔铁可作长行程的往复直线运动,在结构上采用无挡铁式的螺管电磁铁,这样电磁吸力主要由漏磁通产生,由麦克斯韦电磁力公式可推知:力的大小和方向可以得到比较大的电磁吸力;另外,该文还对影响电磁吸力的其它因素:轭铁半径、衔铁半径、槽的尺寸形状等进行了正交优化试验,弄清了各因素对电磁吸力的影响程度,进一步应用Tabu搜索法对各因素进行全局优化,得出各参数最优组合方案,并经工厂实践检验,结果较理想.该文还对电磁铁的动态特性,也即对整个步进运动过程中电磁吸力、运动速度、位移等与运动时间之间的关系进行了计算分析,以便工厂可以更好地对电磁铁的通电时间、运动过程进行控制.
上传时间： 2013-04-24
上传用户：赵安qw
随着科学技术的发展，交流调速系统的应用越来越普遍。为了保护逆变器直流侧电源，在其开关器件的驱动信号中需加入死区时间，死区时间的加入对交流调速系统的实际运行产生了许多负面影响，因此，死区时间的补偿随之而成为交流调速系统研究的热点和难点问题之一。 本课题研究交流调速系统中DSP控制的电压型逆变器死区问题，简介了三相SPWM逆变器原理后，引出了逆变器死区问题，对死区效应产生的机理及死区存在后引起逆变器输出电压的误差波形进行了分析，揭示了因死区时间的加入所产生的误差波形与逆变器相关参数的关系。 在上述研究的基础上，本文对基于DSP控制器的逆变器死区问题展开研究，首先对DSP控制器PWM波产生的原理及死区加入的方法进行了阐述，然后对因死区时间的加入可能引起的波形失真情况进行了分析。在综述了目前常用的死区补偿方法的基础上，针对基于DSP控制的逆变器死区问题提出了两种比较实用的死区补偿方法：一种是基于无效器件原理的死区补偿方法，另一种是基于无效器件原理和电流反馈相结合的死区补偿方法。系统仿真实验表明：采用这两种方法对死区时间补偿后的电机定子电流波形与未补偿前的相比，其畸变得到了明显改善。为了进一步验证这两种补偿方法的实际补偿效果，本文还为验证实验做了一些前期的准备工作。
上传时间： 2013-04-24
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