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太阳能充放电

  • 并网交错反激研究

    并网交错反激研究,试用在微型太阳能逆变器,可以顺利实现并网等算法

    标签: 并网 反激

    上传时间: 2019-04-21

    上传用户:zhangjunsheng

  • 电力电子电容

    直流支撑电容器,又称DC-Link电容器。直流支撑电容器,属于无源器件的一种。直流支撑电容器,现主要采用聚丙烯薄膜介质直流支撑电容器,其具有耐电压高、耐电流大、低阻抗、低电感、容量损耗小、漏电流小、温度性能好、充放电速度快、使用寿命长(约10万小时)、安全防爆稳定性好、无极性安装方便等优点。被广泛应用于电力电子行业  

    标签: 电力电子 电容

    上传时间: 2019-06-16

    上传用户:abcdyifei

  • BK8000校准软件

    这是一款电池检测系统的校准软件,其目的使电池在充放电时所得数据与标准数据更加准确。

    标签: 8000 BK 校准 软件

    上传时间: 2021-03-28

    上传用户:jpf409263223

  • 电动汽车逆变器用IGBT驱动电源设计及可用性测试

    电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力,IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件,其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频器、风能太阳能逆变器的驱动电路有更为苛刻的技术要求。其中的电源电路受到空间尺寸小、工作温度高等限制,面临诸多挑战。介绍了一种驱动供电电源的设计,并通过实际测试证明其可用性。

    标签: 电动汽车 逆变器 igbt 驱动 电源

    上传时间: 2021-10-27

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  • 充电宝PD快充+15W无线充

    22W type c有线充放电。双A口输出快充PD协议。支持苹果头充电。无线充输出支持15W。

    标签: 充电宝 PD快充

    上传时间: 2021-10-29

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  • SPWM波产生.

    电路主要包括以下七个单元电路:正弦波产生电路、正弦波放大及电平变换电路、峰值检测电路、增益控制电路、三角波产生电路、比较电路、低通滤波电路。正弦波产生电路采用文氏桥正弦波振荡电路,由放大电路、反馈电路(正反馈)、选频网络(和反馈电路一起)、稳幅电路构成,它的振荡频率为:f=1/(2Π*RC),由R4和C1构成RC并联振荡,产生正弦波,与R5和C2构成选频网络,同时R5和C2又构成该电路的正反馈;稳幅电路是由该电路的负反馈构成,当振幅过大时,二极管导通,R3短路,Av=1+(R2+R3)/R1减小,振幅减小,反之Av=1+(R2+R3)/R1增大,振幅增大,达到稳幅效果,从而保证正弦波的正常产生。正弦波放大及电平变换电路由R10,R7分别与R15滑动电阻部分相连,通过滑动R15来分VCC和VEE的电压,通过放大器正相来抬高或降低正弦波来达到特定范围内的幅值,滑动电阻R6与地相连,又与放大器反相端相连,滑动R6分压来改变振幅,后又由R9和R8构成反馈来达到放大的效果,从而达到正弦波放大及电平变化的目的。峰值检测电路是由正弦波放大及电平变换电路产生的正弦波送入电压跟随器的正相端,通过两个反向二极管后再连电容,快速充放电达到峰值,然后再送回正弦波放大及电平变换电路的反相端,构成负反馈,达到增益稳幅控制效果三角波产生电路主要由两个NPN型三极管Q3Q4,一个PNP型三极管Q2,两个电容C3C4,两个非门,一个滑动电阻R16组成,通过充放电后经过非门产生三角波。比较电路产生的正弦波送入放大器的正相端,产生的三角波送入放大器的反相端,通过作差比较产SPWM波,后又经过由R22和C8组成的低通滤波电路,还原正弦波。

    标签: spwm 产生

    上传时间: 2021-10-30

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  • SH367309参考手册

    SH367309是5-16串锂电池BMS用数字前端芯片,适用于总电压不超过70V的锂电池Pack。        SH367309工作在保护模式下,可独立保护锂电池Pack。提供过充电保护、过放电保护、温度保护、充放电过流保护、短路保护、二次过充电保护等。集成平衡开关提高电芯一致性。        SH367309工作在采集模式下,可配合MCU管理锂电池Pack,同时使能所有保护功能。        SH367309内置VADC,用于采集电芯电压、温度以及电流;内置CADC采集电流,用于统计Pack剩余容量;内置EEPROM,用于保存保护阈值及延时等可调参数;内置TWI通讯接口,用于操作相关寄存器及EEPROM。产品特性介绍■ 硬件保护功能     - 过充电保护功能     - 过放电保护功能     - 充放电高温保护功能     - 充放电低温保护功能     - 充放电过流保护功能     - 短路保护功能     - 二次过充电保护功能     - 断线保护功能■ 内置平衡开关■ 禁止低压电芯充电功能■ 小电流检测功能■ 支持乱序上下电■ 内置看门狗模块■ 模式设计     - 采集模式(SH367309配合MCU应用)     - 保护模式(SH367309独立应用)     - 仓运模式     - 烧写模式■ 13-bit VADC用于采集电压/温度/电流     - 转换频率:10Hz     - 16路电压采集通道     - 1路电流采集通道     - 3路温度采集通道■ 16-bit Ʃ-∆CADC用于采集电流     - 转换频率:4Hz■ 内置EEPROM     - 编程/擦除次数:≤ 100次■ 稳压电源     - 3.3V(25mA@MAX)■ MOSFET驱动:电池组负端NMOS驱动■ CTL管脚:优先控制充放电MOSFET关闭■ TWI通讯接口:支持CRC8校验■ 低功耗设计:     - IDLE状态     - SLEEP状态     - Powerdown状态■ 封装     - TQFP48L

    标签: sh367309

    上传时间: 2021-11-22

    上传用户:jason_vip1

  • 电子电气专业毕业设计毕业论文及产品设计软硬件资料文档资料合集4(21个)

    电子电气专业毕业设计毕业论文及产品设计软硬件资料文档资料合集4(21个):光纤通信复用技术的研究资料国旗升降系统程序资料多功能出租车计价器设计资料多功能工业控制平台多功能数字时钟设计资料多功能电子医药盒设计多功能电机控制器资料多点无线数据传输系统资料多点温度检测系统设计资料点阵电子显示屏资料电动智能小车设计资料电压检测系统(含VB上位机)proteus仿真+程序资料电子万年历设计与制作资料电子密码锁1602液晶显示资料电子式里程表设计资料电子秤proteus仿真+程序资料电容充放电产生方波,再经积分器转成三角波,再经微分器转成方波proteus仿真资料电机转速测量系统红外测温模组红外遥控电路设计资料给初学单片机的40个实验肺活量测量仪设计资料高保真音响设计制作资料高灵敏无线探听器电路资料高频电路实训装置资料

    标签: 电子电气专业毕业设计

    上传时间: 2021-12-08

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  • 基于双输入推挽变换器的光电互补电源的研究

    能源短缺和环境恶化是人类共同面临的挑战。开发新型清洁能源是解决能源短缺和环境恶化的捷径,但是太阳能能源不连续和不稳定的缺点影响其单独使用的效果。为了解决这个问题,可以选择使用多种性质互补的能源联合供电,相互弥补彼此的不足,以达到连续稳定的电能输出。基于双输入直流变换器(Multipk-Input Converter,MC)的光电互补系统相对于风光互补系统而言,在太阳能功率充足时,可以选择将多余的能量进行并网,省去了蕃电池等储能设备,也可大大节约成本,简化控制:而且电网是全天候的,比纯新能源联合系统更加可靠。因此本文将对光电互补系统,研究其拓扑、能量管理和系统参数设计等等在隔离应用的中小功率场合,推挽变换器控制方便,结构简单,应用广泛传统的多输入推挽变换器结构复杂,成本高。通过分析MIC的生成方法,利用脉冲电压源 Pulsating Voltage Source Ce,PⅤSC或者脉冲电流源(Pulsating Curren Source Cell,PCSC)中联或者并联构成简单实用的一族多输入推挽变换器,详细分析了BUCK型PVSC串联构成的双输入推挽变换器的小信号模型和控制方式,为了能够提供交流输出,本文还详细分析了半桥逆变电路的控制方式,并推导出其数学控制模型通过分析系统的工作模式、能量管理策略和不同控制方式对系统的影响,阐叨基于双输入推挽变换器的光电互补系统的工作原理。并对系统软件涉及到的太阳能最大功率跟踪、光电互补控制和逆变控制等算法进行重点研究功率电路参数设计合理与否,直接影响着系统的性能和指标,其中推挽变压器和滤波器的参数设计尤为重要,为此专门给出了硬件参数设计步骤;然后,根据软件算法,设计了控制软件流程图来更清晰的表达软件控制的思想软件参数是影响系统鲁棒性和快速性的另一个关键因素,在硬件设计的基础上,对软件参数进行优化设计,并利用 Simulink软件对设计参数进行仿真分析和修正。然后采用TMS320F2809作为控制芯片,搭建了实验原理样机,并进行了相关验证实验

    标签: 推挽变换器

    上传时间: 2022-03-16

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  • MOS管的米勒效应-讲的很详细

    MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒电容充满电,Vgs又上升到驱动电压的值,此时MOSFET进入电阻区,此时Vds彻底降下来,开通结束。由于米勒电容阻止了Vgs的上升,从而也就阻止了Vds的下降,这样就会使损耗的时间加长。(Vgs上升,则导通电阻下降,从而Vds下降)

    标签: MOS管

    上传时间: 2022-03-20

    上传用户:得之我幸78