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半导体开关

  • 开关电源的PCB设计规范

    开关电源的PCB设计规范与方法

    标签: PCB 开关电源 设计规范

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:gy592333

  • 如何快速创建开关电源的PCB版图设计

    如今的开关稳压器和电源越来越紧凑,性能也日益强大,而越来越高的开关频率是设计人员面临的主要问题之一,正是它使得PCB的设计越来越困难。事实上,PCB版图已经成为区分好与差的开关电源设计的分水岭。本文针对如何一次性创建优秀PCB版图提出一些建议。考虑一个将24V降为3.3V的3A开关稳压器。设计这样一个10W稳压器初看起来不会太困难,设计人员可能很快就可以进入实现阶段。不过,让我们看看在采用Webench等设计软件后,实际会遇到哪些问题。如果我们输入上述要求,Webench会从若干IC中选出“Simpler Switcher”系列中的LM25576(一款包括3A FET的42V输入器件)。该芯片采用带散热垫的TSSOP-20封装。Webench菜单中包括了对体积或效率的设计优化。设计需要大容量的电感和电容,从而需要占用较大的PCB空间。Webench提供如表1的选择。

    标签: PCB 开关电源 版图设计

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:gtzj

  • 基于量子流体动力学模型的半导体器件模拟

    基于量子流体动力学模型,自主编制程序开发了半导体器件仿真软件。其中包括快速、准确数值离散方法和准确的物理模型。基于对同一个si双极晶体管的模拟,与商用软件有近似的仿真结果。表明量子流体动力学模型具有可行性,同时也表明数值算法和物理模型的正确性。

    标签: 量子 流体 动力学模型 半导体器件

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:fanxiaoqie

  • 气缸自动控制中手动开关的接线方法

    定时程序控制器用于气缸、电磁阀等各种类型的设备控制,接线简单,用表格设置的方法代替编程方法,适合不熟悉编程的人员使用。除了程序自动控制,有时候需要调试设备、检修设备的时候,需要手动控制,本文介绍如何增加手动开关的原理接线方法。

    标签: 自动控制 手动开关 接线方法

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:xitai

  • 课程设计——4路互锁开关

    四路互锁开关,在电路常用到。

    标签: 互锁开关

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:gaome

  • 巴鲁夫接近开关BES M12MG-USC30B-BV03

    巴鲁夫接近开关M12系列详细描述信息

    标签: MG-USC B-BV BES 12

    上传时间: 2014-01-24

    上传用户:sclyutian

  • 数字旋转编码开关的原理及使用方法

    数字旋转编码开关的原理及使用方法,图文并茂

    标签: 数字 旋转编码开关

    上传时间: 2013-11-03

    上传用户:zaocan888

  • PSGKC-D高压开关测试仪

    PSGKC-D型开关机械特性测试仪,是我公司针对各种高压开关研制的一种通用型电脑智能化测试仪器。该仪器应用光电脉冲技术,单片计算机技术及可靠的抗电磁辐射技术,配以精确可靠的速度/距离传感器,可用于各种电压等级的真空、六氟化硫、少油、多油等高压开关的机械性参数的调试与测量。 公司:扬州品胜电气科技有限公司 地址:江苏宝应开发区安宜东路284号 电话:0514-88992611 传真:0514-88268181 88992611 手机:13382732611 13705255281 网址:http://www.yzpsdq.com 邮箱:88992611@yzpsdq.com QQ: 987006099 1014936215 联系人:张春华

    标签: PSGKC-D 高压开关 测试仪

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:脚趾头

  • 煤矿瓦斯自动排放智能组合开关设计

    详细讨论了煤矿井下瓦斯自动排放系统的智能组合开关设计方法。通过研究煤矿井下掘进面通风的特点和规律,总结出一种掘进面自动排放瓦斯方案,在此基础上设计了瓦斯自动排放系统,着重讨论了作为该系统控制核心的智能组合开关设计方法,阐述了装置内部总线控制结构、硬件电路、软件逻辑的原理。经验证,该装置的性能指标完全满足应用要求,运行可靠稳定,能够应对井下掘进面复杂的使用环境。

    标签: 煤矿瓦斯 开关 自动 组合

    上传时间: 2014-01-10

    上传用户:llwap

  • 基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量

    提出了一个考虑FP 效应的半导体材料参数测量方案。利用该方案可以在时域波形中,截取多个反射回峰,以提高材料参数提取的精确度。另外,考虑到多重反射对样品厚度的准确性要求较高,提出了一种有效的厚度优化方法。以GaAs 为待测样品,利用上述方法精确提取了其折射率与消光系数谱.

    标签: 太赫兹 光谱 半导体材料 参数测量

    上传时间: 2013-12-16

    上传用户:alan-ee