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前置放大

  • 5G移动通信技术中毫米波降雨衰落特性研究

    研究了视线环境下毫米波降雨衰减和信号起伏效应,为分析多径环境对雨衰和雨致信号起伏效应的影响提供了“比较标准”。基于粒子散射吸收理论,简述了雨衰机理,并通过仿真分析了现有雨哀工程模型的局限性,进而提出了一种修正特征衰减模型参数的方法,基于ITU-R给出的35GHz模型参数对该修正方法进行了验证:根据随机介质波传播理论,研究了雨粒子散射引起的信号起伏效应。基于自主搭建的Ka波段信道哀落特性和降雨物理特征测量系统,分别在视线环境和多径环境下,开展了关于雨哀和雨致信号起伏特性的测量实验,根据仪器的测量原理,优化了实测雨滴谱的提取方法,并提出了基于实测雨滴谱修正weibul模型参数的方法,建立了适用于西安地区精确的南滴尺寸分布模型,进而结合等效介电常数理论修正了指数雨衰模型参数,比较了视线环境下修正模型的雨哀计算结果与实验测量结果,以验证所提出的模型参数修正方法的正确性和可行性。然而,将多径环境下降雨特征代入修正模型中,其计算和实验结果表明地形地物多径环境会“放大”雨衰和信号起伏深度。基于电波传播理论和等效均匀介质理论,建立了复合环境下的电波传播模型;在该模型基础上,推导出了地形地物多径传播环境影响下的降雨衰减模型和信号起伏统计特性模型:仿真和讨论了在典型地形地物多径环境下,典型降雨时间序列下的衰减和信号起伏效应,揭示了多径环境“放大”大气传输效应的机理,并与实验结果进行了比较,验证了该模型的有效性。本文研究方法对降雪、沙尘暴等恶劣天气环境和地形地物多径传播环境综合作用下毫米波传播特性的研究具有重要的指导意义,同时其研究成果对5G应用场景下亳米被信道建模,以及提高5G毫米波移动通信系统性能具有重要的应用价值。

    标签: 5g 移动通信 毫米波

    上传时间: 2022-06-20

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  • 无线局域网接收机射频前端集成电路设计

    近年来,随着个人数据通信的发展,功能强大的便携式数据终端和多媒体终端得到了广泛的应用。为了实现用户在任何时间、任何地点均能实现数据通信的目标,要求传统的计算机网络由有线向无线、由固定向移动、由单一业务向多媒体发展,这一要求促进了无线局域网技术的发展。在互联网高速发展的今天,可以认为无线局域网将成为未来的发展趋势.本课题采用TSMC 0.18um CMOS工艺实现用于IEEE 802.1la协议的5GHz无线局域网接收机射频前端集成电路一包括低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)和下变频器电路(Downconverter),低噪声放大器是射频接收机前端的主要部分,其作用是在尽可能少引入噪声的条件下对天线接收到的微弱信号进行放大。下变须器是接收机的重要组成部分,它将低噪声放大器的输出射频信号与本振信号进行混频,产生中频信号。论文对射频前端集成电路的原理进行了分析,比较了不同电路结构的性能,给出了射频前端集成电路的电路设计、版图设计、仿真结果和测试方案,仿真结果表明,此次设计的射频前端集成电路具有低噪声、低功耗的特点,其它性能也完全满足设计指标要求

    标签: 无线局域网 接收机

    上传时间: 2022-06-20

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  • 射频功率放大器集成电路研究

    射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比,射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点;由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要,使得功率放大器的研制变得十分重要,因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs,SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力,但其价格昂贵,工艺一致性差;CMOS工艺的功率输出能力不大,很难应用于高输出功率的场合;而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间,价格相对低廉并和CMOS电路兼容,非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现,分别使用了CMOS,SiGe BiCMOS,GaAs三种工艺.(1)由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz,采用了两级共源共栅电路结构,在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右,1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%,最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%,芯片面积为1.4mm*0.96mm;(2)由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz,分为前置推动级和末级功率级,电源电压为3.3V,仿真结果为小信号增益28dB左右,1dB压缩点处输出功率大于26dBm,功率附加效率大于15%,最大饱和输出功率为29.5dBm,芯片面积为1.56mm"1.2mm;(3)由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz,使用了三级功率放大器结构,在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm,增益在20dB以上,最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%,芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程,对三种工艺实现的功率放大器进行了对比,并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。

    标签: 射频功率放大器 集成电路

    上传时间: 2022-06-20

    上传用户:shjgzh

  • X波段机载相控阵雷达目标模拟器射频前端研究.

    现代雷达系统日益复杂,在设计、调试雷达系统的过程中,不可避免的需要雷达的回波信号,为了提高雷达设计效率,人们逐渐开始对雷达回波信号模拟技术进行研究,以求用模拟产生的信号代替实际的雷达回波信号,把雷达系统设计和维护过程中所需的费用降到最低。现在,雷达信号模拟技术逐步取得发展,成为雷达技术的一个重要分支,而雷达信号模拟器的研制成为国内外军事研究领域的热门方向.所有无线电系统中都会包含射频前端,射频前端的主要作用是将基带信号经过调制、上混频、放大后送至天线发射,或是将天线接收到的信号放大、下混频、解调,最后输出基带信号.本课题正是对某机载相控阵雷达目标模拟器射频前端的研究。该射频前端系统包括两个部分:发射机通道和射频功率合成网络,发射机通道由三条杂波信号通道和一条目标信号通道组成,每条通道相当于一台射频发射机.在发射机通道中首先对基带1、Q信号进行调制,然后两次上混频使输出信号到达x波段。射频功率合成网络主要的功能是使用功分器将目标信号一分为四,利用数控衰减器对四路目标信号进行方向图增益调制,调制后其中一路信号送至天线系统,另外三路分别与三路杂波信号功率合成,最后输出至雷达,该项目中笔者主要负责对整体方案和指标的论证,多路信号幅相平衡度的调整,x波段0/i移相器的设计与实现,整机的功能指标测试,与其它分机联调等工作.本文首先介绍了该机载相控阵雷达目标模拟器的整体方案,然后对无线发射机系统进行了分析,接下来对射频前端方案进行论证,之后详述了多路信号幅相校正的方法与0/n移相器的研制,给出了射频前端系统的测试结果.

    标签: 雷达

    上传时间: 2022-06-20

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  • 基于ADS的射频功率放大器设计与仿真

    论文主要工作如下:一是从功率放大器的物理结构上分析了射频功率放大器非线性特性产生的原因及其对通信系统的影响,讨论了功率放大器的非线性分析模型,即幂级数分析模型,Volterra级数分析模型和谐波平衡分析模型,并简要的说明了它们各自的特点,总结出了谐波平衡分析法的优点,指出它适合用于射频功率放大器的大信号非线性分析.二是分析了射频功率放大器偏置和匹配电路设计中的一些基本问题,比较了有源和无源偏置网络的优缺点,讨论了输入、输出匹配电路和级间匹配电路设计的重点问题。介绍了负载牵引设计方法,它是在具备功率管大信号模型的基础上对负载和源进行牵引仿真,从而确定输出、输入阻抗。三是在射频功率放大器的设计过程中,主要使用了ADS软件进行辅助分析设计.正是通过对软件功能的充分应用,替代了射频功半放大器设计中许多原来需要人工进行的运算工作,提高了工作效率。从仿真结果来看,都达到了预期的设计目标,验证说明了ADS仿真软件在射频功率放大电路设计方面的实用性与优越性,具有继续进行深入研究的价值。

    标签: ads 射频 功率放大器

    上传时间: 2022-06-20

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  • 三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析.

    摘要:对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析,对TLP250,EXB系列和M579系列进行了深入的讨论,给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图,还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项,对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验,通过有关的波形验证了它们的特点,最后得出结论:IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。关键词:绝缘栅双极晶体管:集成电路;过流保护1前言电力电子变换技术的发展,使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展.20世纪80年代,为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件,有人提出了绝缘门极双极型品体管(IGBT)[1].在IGBT中,用一个MoS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输,这藏产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件,它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源(UPS)和交流电机调速系统的设计中,它是日前最为常见的一种器件。

    标签: 三相逆变器 igbt 驱动电路

    上传时间: 2022-06-21

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  • 射频微波笔试题

    下面是北京和协航电科技有限公司的射频研发笔试题,答案是自己总结的,仅供参考1请简述锁相环的基本构成与工作原理,各主要部件的作用。2请说出产生线性调频信号的几种方法。3请简述AGC电路的基本工作原理。4请简述丙类放大器和线性放大器的主要区别。5请简述并联谐振电路的基本特性,画出阻抗曲线。6请用运放构建一个电压放大倍数为10的同向放大器。7请简述你对阻抗匹配的理解。8请简述低通滤波器的主要指标。9请简述线性稳压电离的基本工作原理。10请给出放大器绝对u4稳定的条件。相环由以下三个基本部件组成:鉴相器(PD)、环路滤波器(LPF)和压控振荡器(VCO)锁相环的工作原理:1,压控振荡器的输出经过采集并分频;2,和基准信号同时输入鉴相器:3,鉴相器通过比较上述两个信号的频率差,然后输出一个直流脉冲电压:4,控制vco,使它的频率改变;5,这样经过一个很短的时间,VcO的输出就会稳定于某一期望值。锁相环可用来实现输出和输入两个信号之间的相位同步。当没有基准(参考)输入信号时,环路滤波器的输出为零(或为某一固定值)。这时,压控振荡器按其固有频率fv进行自由振荡。当有频率为fr的参考信号输入时,Ur和Uv同时加到鉴相器进行鉴相。如果fr和fv相差不大,鉴相器对Ur和Uv进行鉴相的结果,输出一个与Ur和Uv的相位差成正比的误差电压Ud,再经过环路滤波器滤去Ld中的高频成分,输出一个控制电压Uc,Uc将使压控振荡器的频率fv(和相位)发生变化,朝着参考输入信号的频率靠拢,最后使fv=fr,环路锁定。环路一旦进入锁定状态后,压控振荡器的输出信号与环路的输入信号(参考信号)之间只有一个固定的稳态相位差,而没有频差存在。这时我们就称环路已被锁定。

    标签: 射频 微波

    上传时间: 2022-06-21

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  • 基于TDCGP2的高精度脉冲激光测距系统研究

    论文通过对高精度脉冲式激光测距系统的研究,并在参照课题技术指标的基础上,旨在提供一种高精度脉冲式激光测距系统的解决方案,并对脉冲式激光测距仪系统设计中所涉及的脉冲读取与放大电路、时刻鉴别、时间间隔测量等关键技术进行了深入的研究和探讨。论文利用电流-电压转换法对脉冲信号进行读取,并使用了可控增益放大技术,使得放大后的脉冲信号能在限定幅值范围内变化,减小了时刻鉴别中由于脉冲幅值波动所引起的漂移误差;在时刻鉴别中,采用了预鉴别恒定比值鉴别法使漂移误差进一步减小。时间间隔测量是论文的核心部分,基于TDC-GP2的时间间隔测量设计使系统的时差测量精度达到72ps,高精度的时差测量为系统测距精度提供了可靠保障。关键词:脉冲激光测距;可控增益放大;蜂值检测:时刻鉴别:TDC-GP2

    标签: 脉冲激光测距

    上传时间: 2022-06-21

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  • 变频器维修之IGBT模块的原理和测量及判断

    本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块,及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点,但也有导通压降大,电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点,如电流控制、导通压降小,功率容量大等,二者复合,正所谓优势互补。IGBT管子,或者1GBT模块的由来,即基于此。从结构上看,类似于我们都早已熟悉的复合放大管,输出管为一只PNP型三极管,而激励管是一只场效应管,后者的漏极电流形成了前者的基极电流。放大能力是两管之积。IGBT管子的等效电路及符号如下图:

    标签: 变频器 igbt模块

    上传时间: 2022-06-21

    上传用户:jiabin

  • 电子元器件系列知识—IGBT

    一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1,Q2 为驱动功率推挽放大,通过光耦隔离后的信号需通过Q1,Q2 推挽放大。选择Q1,Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时,需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大,因此IGBT 关断时,最好加一个负偏电压,且负偏电压比MOSFET 大, IGBT 负偏电压最好在-5V~-10V 之内;开通时,驱动电压最佳值为15V 10% ,15V 的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和,这时通态压降也比较低,同时又能有效地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V ,则IGBT 通态损耗较大, IGBT 处于欠压驱动状态;若 VGE >20V ,则难以实现电流的过流、短路保护,影响 IGBT 可靠工作。2 栅极驱动功率的计算由于IGBT 是电压驱动型器件,需要的驱动功率值比较小,一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT ,或要求并联运行的IGBT 则需要考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE( ON )和关断 VGE( off ) 电压,栅极总电荷 QG 和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率 PAV 计算公式为:PAV =(VGE(ON ) +VGE( off ) )* QG *f对一般情况 VGE( ON ) =15V,VGE( off ) =10V,则 PAV 简化为: PAV =25* QG *f。f 为 IGBT 开关频率。栅极峰值电流 I GP 为:

    标签: 电子元器件 igbt

    上传时间: 2022-06-21

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