虫虫首页|资源下载|资源专辑|精品软件
登录|注册

您现在的位置是:虫虫下载站 > 资源下载 > 书籍 > ESD Protection in CMOS ICs

ESD Protection in CMOS ICs

  • 资源大小:6545 K
  • 上传时间: 2020-06-05
  • 上传用户:shancjb
  • 资源积分:2 下载积分
  • 标      签: Protection CMOS ESD ICs in

资 源 简 介

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微
米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造
成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些可靠度的問題。
在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain)
製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與
Rd,而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發展出 Polycide 製
程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發展出所謂 Salicide 製程

相 关 资 源